本申請涉及襯底背面紋理，其描述的實施方案涉及用于減小光刻變形的方法和設備?？梢詫雽w襯底的背面紋理化。接著可以對具有經紋理化的背面的半導體襯底進行光刻工藝。為了改善變形均勻性，并且可能地，提高套刻性能，可以將接觸卡盤銷的半導體襯底的背面表面紋理化，以產生由于在卡盤上的晶片滑動而導致的更均勻的晶片變形。將半導體襯底的背面紋理化，以產生較小的摩擦系數，這提高了在掃描儀夾持期間整個半導體襯底背面的滑動均勻性。

相關申請的交叉引用

本申請是申請日為2014年8月7日、申請號為201480050820.X、發明名稱為“襯底背面紋理”(PCT/US2014/050177，進入國家階段日期2016年3月15日)之申請的分案申請。

本申請基于2013年8月9日提交的美國臨時專利申請第61/864151號和2013年8月9日提交的美國臨時專利申請第61/864212號，并要求上述兩個申請的優先權益，二者的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本發明涉及襯底背面紋理，更具體地涉及一種用于改善半導體襯底的背面表面摩擦的方法，以及一種減小光刻變形的方法。

背景技術

為了在制造集成電路(IC)期間使半導體襯底曝光，可以將襯底夾持在成像掃描儀或相機上。在夾持期間，可以將晶片想成是能夠“起皺”的“薄餅”，從而導致投射到晶片上的圖像顯著變形。當在集成電路制造中對準多個光刻層時，這會影響總性能。

發明內容

本文中描述的實施方案涉及用于減少光刻變形的方法和設備。可以使半導體襯底的背面紋理化。接著可以在具有經紋理化的背面的半導體襯底上進行光刻工藝。

附圖說明

現在將結合附圖提供對數個實施方案的詳細描述，其中：

圖1是卡盤銷和半導體襯底的簡化圖；

圖2是根據一個實施方案的工藝的示意圖；

圖3是根據一個實施方案的設備的示意圖；

圖4是示出半導體襯底材料和對應的蝕刻劑的圖表；

圖5是根據一個實施方案的設備的示意圖；

圖6是根據一個實施方案的工藝的示意圖；以及

圖7是與半導體襯底的背面相關的粗糙度的示意圖。

具體實施方式

通常，在IC制造中，半導體襯底的背面在加工期間可能會受污染。污染物可以包括殘留膜及有機和無機顆粒。這樣的污染物可以由制造工藝中的許多步驟導致，這些步驟為例如熱材料生長(例如，生長SiN或SiO₂膜)、光致抗蝕劑加工、快速熱退火和/或化學氣相沉積(CVD)。另外，由于在工具(tool)到工具間的晶片轉移期間的晶片傳送(例如，通過機器臂)，背面襯底表面還可能被劃傷。

晶片背面的狀態可對夾持在成像掃描儀或相機上期間產生的最終的晶片變形特征起到顯著作用。圖1示出了接觸區域(例如卡盤銷100)和容納半導體襯底104的晶片臺102。顆粒106附著在半導體襯底104的背面上。襯底104的背面表面與卡盤銷100之間的相互作用確定襯底104將如何滑過銷100。當襯底104的背面不均勻時，例如當存在顆粒106或存在表面不均勻性時，襯底104在各個銷100處以不同方式滑動，從而導致非均勻的襯底變形。非均勻的襯底變形是不期望的，這是因為這樣的變形會導致差的套刻(overlay)性能。

為了改善變形均勻性，并且可能地，提高套刻性能，可以使接觸卡盤銷100的半導體襯底104的背面表面紋理化，以產生由于在卡盤上的晶片滑動而導致的更均勻的晶片變形。使半導體襯底104的背面紋理化，以產生較小的摩擦系數，這改善了在掃描儀夾持期間整個半導體襯底104的背面的滑動均勻性。