[發明專利]襯底背面紋理有效
| 申請號： | 201810941983.7 | 申請日： | 2014-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN108803255B | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發明（設計）人： | 利奧爾·胡利;杰弗里·T·史密斯;卡洛斯·A·豐塞卡;安東·德維利耶;本雅門·M·拉特扎克 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;蘇虹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 背面 紋理 | ||
1.一種加工方法，包括：
確定光刻工具上的用于半導體襯底的一個或更多個接觸區域，所述一個或更多個接觸區域將支承所述半導體襯底；
至少部分地基于以下來確定對于半導體襯底的背面表面摩擦：
所述半導體襯底在所述半導體襯底的一個或更多個部分處的背面特征的頻率，
在所述半導體襯底的所述一個或更多個部分處的所述背面特征的幅度；以及
加工所述半導體襯底以獲得目標背面表面紋理，所述目標背面表面紋理使所述半導體襯底的背面表面與所述一個或更多個接觸區域之間的摩擦系數減少，所述加工包括利用HMDS的蒸汽處理以化學方式改變在原子水平下的材料特性或性質。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述接觸區域包括每毫米不超過70個的密度。
3.根據權利要求2所述的方法，其中所述背面特征的幅度彼此之間偏差不超過10nm。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述加工還包括改變所述半導體襯底的表面能。
5.一種用于改善半導體襯底的背面表面摩擦的方法，包括：
確定將用以加工所述半導體襯底的光刻工具的類型，所述光刻工具包括一個或更多個接觸區域，所述一個或更多個接觸區域將支承所述半導體襯底；以及
加工所述半導體襯底以獲得目標背面表面紋理，所述目標背面表面紋理使所述半導體襯底的背面表面與所述一個或更多個接觸區域之間的摩擦系數減少，所述加工包括利用HMDS的蒸汽處理以化學方式改變在原子水平下的材料特性或性質。
6.根據權利要求5所述的方法，其中所述背面表面摩擦至少部分地基于所述半導體襯底的所述背面上的特征之間的距離。
7.根據權利要求5所述的方法，其中所述背面表面摩擦至少部分地基于所述半導體襯底的所述背面上的特征的幅度。
8.根據權利要求5所述的方法，其中所述背面表面摩擦包括水平距離分量，所述水平距離分量小于對于所述半導體襯底的所述背面的至少一部分的所述一個或更多個接觸區域的寬度。
9.根據權利要求5所述的方法，其中所述背面表面摩擦還包括垂直距離分量，所述垂直距離分量跨所述半導體襯底的所述背面的至少一部分落在50nm內。
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