本發明揭示了一種MOCVD系統及其清理方法，MOCVD系統包括反應裝置及加熱裝置，反應裝置包括蓋體，蓋體上設置有噴淋用出源孔，蓋體表面和/或出源孔內在反應過程中附著有堵塞物，加熱裝置加熱蓋體而使得堵塞物呈熔融狀態。本發明的MOCVD系統通過加熱裝置使得堵塞物呈熔融狀態，可以簡化后續的堵塞物清理過程，從而提高MOCVD系統使用效率。

技術領域

本發明涉及氣相沉積領域，尤其涉及一種MOCVD系統及其清理方法。

背景技術

MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化合物化學氣相沉積)是在氣相外延生長(Vapour Phase Epitaxy，VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。MOCVD是制備化合物半導體外延材料的核心設備，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，主要用于生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，涵蓋了所有常見半導體，有著非常廣闊的市場前景。

目前，MOCVD系統一般包括反應腔體及位于反應腔體上方的蓋體，蓋體上設置有噴淋用出源孔，金屬有機化合物與氫化物等以一定的速度經過蓋體而噴淋至反應腔體中。

現有技術中，蓋體上設置小而密的微孔型出源孔，可以提高產品品質，且均勻性好，產量高，但是，隨著生產時間的推延，反應產物或原料等容易堵塞出源孔，特別是當控溫用的出源孔被堵塞時，將嚴重影響調溫過程，從而影響外延生長過程。

因此，隨著生產時間的推延，需要將蓋體拆卸下來進行清理，而清理過程比較繁瑣，時間比較漫長，而且，清理完后的蓋體組裝至反應腔體后又要經過很長一段時間的適應過程，在整個拆卸、重新組裝及適應的周期里各種損失非常巨大，如何解決上述問題是本領域技術人員急需研究的課題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種MOCVD系統及其清理方法，其可以簡化蓋體清理過程，同時，提高MOCVD系統使用效率。

為實現上述發明目的之一，本發明一實施方式提供一種MOCVD系統，包括分開設置的反應裝置及加熱裝置，所述反應裝置包括蓋體，所述蓋體上設置有噴淋用出源孔，所述蓋體表面和/或所述出源孔內在反應過程中附著有堵塞物，所述加熱裝置加熱所述蓋體而使得所述堵塞物呈熔融狀態，所述加熱裝置包括容納熱媒體的第一容納腔，所述第一容納腔與所述蓋體之間通過加熱循環管路連通，所述熱媒體于所述加熱循環管路內循環流動而加熱所述蓋體。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述MOCVD系統還包括用于調控所述蓋體反應溫度的控溫裝置及控制單元，所述控溫裝置包括容納控溫媒體的第二容納腔，所述第二容納腔與所述蓋體之間通過控溫循環管路連通，所述控溫媒體于所述控溫循環管路內循環流動而調節所述蓋體的溫度，所述控制單元用于控制所述加熱循環管路及所述控溫循環管路之間的切換。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述加熱循環管路包括連通所述第一容納腔的第一輸出加熱管路、第一輸入加熱管路以及連通所述蓋體的第二輸出加熱管路、第二輸入加熱管路，所述控溫循環管路包括連通所述第二容納腔的第一輸出控溫管路、第一輸入控溫管路以及連通所述蓋體的第二輸出控溫管路、第二輸入控溫管路，所述第二輸出加熱管路與所述第二輸出控溫管路一體化為蓋體輸出管路，所述第二輸入加熱管路與所述第二輸入控溫管路一體化為蓋體輸入管路，所述MOCVD系統還包括分別連接所述蓋體輸出管路及所述蓋體輸入管路的第一開關及第二開關，當所述MOCVD系統處于反應過程時，所述控制單元控制所述第一開關連通所述第一輸出控溫管路，且所述第二開關連通所述第一輸入控溫管路，當所述MOCVD系統處于清理過程時，所述控制單元控制所述第一開關連通所述第一輸出加熱管路，且所述第二開關連通所述第一輸入加熱管路。