[發明專利]MOCVD系統及其清理方法有效
| 申請號: | 201810514998.5 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN108588681B | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 林理亮;陳偉 | 申請(專利權)人: | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/44;C30B25/10;C30B25/14;C23C16/18 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈曉敏 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 系統 及其 清理 方法 | ||
1.一種MOCVD系統,其特征在于,包括分開設置的反應裝置及加熱裝置,所述反應裝置包括蓋體,所述蓋體上設置有噴淋用出源孔,所述蓋體表面和/或所述出源孔內在反應過程中附著有堵塞物,所述加熱裝置加熱所述蓋體而使得所述堵塞物呈熔融狀態,所述加熱裝置包括容納熱媒體的第一容納腔,所述第一容納腔與所述蓋體之間通過加熱循環管路連通,所述熱媒體于所述加熱循環管路內循環流動而加熱所述蓋體。
2.根據權利要求1所述的MOCVD系統,其特征在于,所述MOCVD系統還包括用于調控所述蓋體反應溫度的控溫裝置及控制單元,所述控溫裝置包括容納控溫媒體的第二容納腔,所述第二容納腔與所述蓋體之間通過控溫循環管路連通,所述控溫媒體于所述控溫循環管路內循環流動而調節所述蓋體的溫度,所述控制單元用于控制所述加熱循環管路及所述控溫循環管路之間的切換。
3.根據權利要求2所述的MOCVD系統,其特征在于,所述加熱循環管路包括連通所述第一容納腔的第一輸出加熱管路、第一輸入加熱管路以及連通所述蓋體的第二輸出加熱管路、第二輸入加熱管路,所述控溫循環管路包括連通所述第二容納腔的第一輸出控溫管路、第一輸入控溫管路以及連通所述蓋體的第二輸出控溫管路、第二輸入控溫管路,所述第二輸出加熱管路與所述第二輸出控溫管路一體化為蓋體輸出管路,所述第二輸入加熱管路與所述第二輸入控溫管路一體化為蓋體輸入管路,所述MOCVD系統還包括分別連接所述蓋體輸出管路及所述蓋體輸入管路的第一開關及第二開關,當所述MOCVD系統處于反應過程時,所述控制單元控制所述第一開關連通所述第一輸出控溫管路,且所述第二開關連通所述第一輸入控溫管路,當所述MOCVD系統處于清理過程時,所述控制單元控制所述第一開關連通所述第一輸出加熱管路,且所述第二開關連通所述第一輸入加熱管路。
4.根據權利要求2所述的MOCVD系統,其特征在于,所述蓋體包括第一蓋體、第二蓋體及位于所述第一蓋體及所述第二蓋體之間的隔熱層,所述第二蓋體包括所述出源孔,所述加熱裝置用于加熱所述第二蓋體。
5.根據權利要求2所述的MOCVD系統,其特征在于,所述加熱裝置的加熱范圍為80℃~300℃,所述控溫裝置的控溫范圍為20℃~100℃。
6.根據權利要求1所述的MOCVD系統,其特征在于,所述MOCVD系統還包括清理裝置,所述清理裝置為吹式清理裝置或吸式清理裝置,所述吹式清理裝置用于清理拆卸下來且堵塞物呈熔融狀態的蓋體,所述吸式清理裝置用于清理保持在所述反應裝置中且堵塞物呈熔融狀態的蓋體。
7.一種MOCVD系統清理方法,其特征在于,所述MOCVD系統包括分開設置的反應裝置及加熱裝置,反應裝置包括蓋體,所述蓋體上設置有噴淋用出源孔,所述清理方法包括步驟:
加熱所述蓋體,使得所述蓋體表面和/或所述出源孔內的堵塞物呈熔融狀態;
清理所述堵塞物。
8.根據權利要求7所述的MOCVD系統清理方法,其特征在于,步驟“加熱所述蓋體,使得所述蓋體表面和/或所述出源孔內的堵塞物呈熔融狀態”具體包括:
檢測所述MOCVD系統的當前狀態;
當當前狀態為反應狀態時,開啟控溫循環管路而將所述蓋體溫度調控至反應溫度;
當當前狀態為清理狀態時,開啟加熱循環管路而使得所述蓋體表面和/或所述出源孔內的堵塞物呈熔融狀態。
9.根據權利要求7所述的MOCVD系統清理方法,其特征在于,步驟“清理所述堵塞物”具體包括:
判斷所述蓋體的加熱方式;
若所述蓋體拆卸下來并通過加熱箱或加熱循環管路加熱,則吹出堵塞物;
若所述蓋體未拆卸并通過加熱循環管路加熱,則吸出堵塞物。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于聚燦光電科技股份有限公司,未經聚燦光電科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201810514998.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





