[發(fā)明專利]壓縮機(jī)滑片、壓縮機(jī)及壓縮機(jī)滑片的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810513599.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108799127A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李蓋敏;李華明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣東美芝制冷設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào)： | F04C29/00 | 分類號(hào)： | F04C29/00;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 528300 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓縮機(jī)滑片 類石墨碳膜 滑片 制備 金屬化合物薄膜 金屬單質(zhì) 摩擦系數(shù) 過渡層 結(jié)合層 結(jié)合力 壓縮機(jī) 薄膜 耐腐蝕性能 磁控濺射 厚度均勻 摩擦功耗 依次疊加 耐磨性 匹配性 最外層 沉積 | ||
1.一種壓縮機(jī)滑片，其特征在于，包括：
滑片基體；
金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層，其覆蓋所述滑片基體的弧面；
金屬化合物薄膜過渡層，其覆蓋所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層背離所述滑片基體的一側(cè)；及
類石墨碳膜層，其覆蓋所述金屬化合物薄膜過渡層背離所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓縮機(jī)滑片，其特征在于，
所述金屬化合物薄膜過渡層包括金屬氮化物薄膜過渡層和/或金屬碳化物薄膜過渡層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓縮機(jī)滑片，其特征在于，
所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層和/或所述金屬化合物薄膜過渡層中的金屬為鉻、鈦、鎢或銀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓縮機(jī)滑片，其特征在于，
所述滑片基體為高速鋼滑片基體、不銹鋼滑片基體或軸承鋼滑片基體。
5.一種壓縮機(jī)，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的壓縮機(jī)滑片。
6.一種壓縮機(jī)滑片的制備方法，用于滑片鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述壓縮機(jī)滑片包括依次疊加的滑片基體、金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層、金屬化合物薄膜過渡層和類石墨碳膜層，所述滑片鍍膜設(shè)備包括真空室、至少兩個(gè)磁控濺射源、偏壓電源和掛具，所述掛具位于所述真空室內(nèi)，所述至少兩個(gè)磁控濺射源包括至少一個(gè)金屬濺射源和至少一個(gè)石墨濺射源，所述至少一個(gè)金屬濺射源上安裝有金屬靶材，所述至少一個(gè)石墨濺射源上安裝有石墨靶材，所述壓縮機(jī)滑片的制備方法包括：
開啟所述至少一個(gè)金屬濺射源，采用磁控濺射方法在所述滑片基體的弧面上沉積所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層；
采用磁控濺射方法在所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層的表面沉積所述金屬化合物薄膜過渡層；
關(guān)閉所述至少一個(gè)金屬濺射源，開啟所述至少一個(gè)石墨濺射源，采用磁控濺射方法在所述金屬化合物薄膜過渡層的表面沉積所述類石墨碳膜層；
待所述真空室內(nèi)的溫度降至室溫，取出所述壓縮機(jī)滑片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬化合物薄膜過渡層包括金屬氮化物薄膜過渡層和/或金屬碳化物薄膜過渡層，所述采用磁控濺射方法在所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層的表面沉積所述金屬化合物薄膜過渡層的步驟包括：
通入氮?dú)猓⒉捎么趴貫R射方法沉積所述金屬氮化物薄膜過渡層，再停止通入氮?dú)猓缓?或
開啟所述至少一個(gè)石墨濺射源，采用磁控濺射方法沉積所述金屬碳化物薄膜過渡層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，
所述采用磁控濺射方法在所述壓縮機(jī)滑片的弧面上沉積所述金屬單質(zhì)薄膜結(jié)合層的操作包括：
通入氬氣；
將所述壓縮機(jī)滑片的負(fù)偏壓調(diào)整為30V至200V，將所述磁控濺射源的工作電流調(diào)整為0.1A至1A，工作5分鐘至20分鐘；和/或
所述采用磁控濺射方法沉積所述金屬氮化物薄膜過渡層的操作包括：
將所述壓縮機(jī)滑片的負(fù)偏壓調(diào)整為30V至200V，將所述磁控濺射源的工作電流調(diào)整為0.1A至1A，工作10分鐘至50分鐘；和/或
所述采用磁控濺射方法沉積所述金屬碳化物薄膜過渡層的操作包括：
將所述壓縮機(jī)滑片的負(fù)偏壓調(diào)整為30V至200V，將所述磁控濺射源的工作電流調(diào)整為0.5A至12A，工作30分鐘至120分鐘；和/或
所述采用磁控濺射方法在所述金屬化合物薄膜過渡層的表面沉積所述類石墨碳膜層的操作包括：
將所述壓縮機(jī)滑片的負(fù)偏壓調(diào)整為30V至200V，將所述磁控濺射源的工作電流調(diào)整為0.5A至12A，工作100分鐘至500分鐘后，關(guān)閉所述磁控濺射源。
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