[發(fā)明專利]大功率LED支架的電鍍工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810508848.3 | 申請日： | 2018-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN108642538A | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉國強(qiáng);徐卉軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中山品高電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C25D5/12 | 分類號： | C25D5/12;C25D5/02;C25D5/48;C25F5/00 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 羅佳龍 |
| 地址： | 528437 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基材 鎳層 大功率LED支架 局部鍍銀 預(yù)鍍銀 銀層 電鍍工藝 非功能區(qū) 活化處理 功能區(qū) 結(jié)合力 油污 鍍鎳 放入 去除 置換 解脫 功能需求 局部電鍍 電解液 銀材料 活化 浸鍍 上電 脫去 填平 | ||
1.一種大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，包括以下步驟:
將LED支架基材放入電解液中去除油污；
將去除油污的LED支架基材放入活化溶液中進(jìn)行活化處理；
對活化處理完的LED支架基材進(jìn)行鍍鎳，以填平基材的缺失；
對已鍍鎳的LED支架基材的表面全浸預(yù)鍍銀，以防止鎳層置換銀層，從而增強(qiáng)鎳層之間結(jié)合力；
對已預(yù)鍍銀的LED支架基材的功能區(qū)局部鍍銀；
對完成局部鍍銀的LED支架的非功能區(qū)電解脫銀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在對活化處理完的LED支架基材進(jìn)行鍍鎳，以填平基材缺失的步驟中，具體包括以下步驟：
將已活化處理完的LED支架基材放入第一鍍液中電沉積15秒～30秒，采用電流密度為5安培/平方分米～20安培/平方分米，以在LED支架基材上形成0.4μm～0.6μm厚的鎳層；該第一鍍液含氨基磺酸鎳70g/L～110g/L，含氯化鎳10g/L～30g/L，含硼酸30g/L～50g/L，該第一鍍液的溫度為55℃～65℃，該第一鍍液的PH值為3.8～4.4；
用去離子水清洗吹干鍍鎳后的LED支架基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在對已鍍鎳的LED支架基材的表面全浸預(yù)鍍銀，以防止鎳層置換銀層，從而增強(qiáng)鎳層之間結(jié)合力的步驟中，具體包括以下步驟：
將已鍍鎳的LED支架基材放入第二鍍液中電沉積4秒～8秒，采用電流密度為1.5安培/平方分米～5安培/平方分米，以在LED支架基材上形成0.05μm～0.2μm厚的預(yù)鍍銀層；該第二鍍液含銀量70g/L～110g/L，含氰化鉀100g/L～130g/L，該第二鍍液的溫度為20℃～35℃，該第二鍍液的PH值為12～14；
用去離子水清洗吹干預(yù)鍍銀后的LED支架基材。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在對已預(yù)鍍銀的LED支架基材的功能區(qū)局部鍍銀的步驟中，具體包括以下步驟：
采用模具鍍銀的方式，將預(yù)鍍銀的LED支架基材定位到模具上，并屏蔽LED支架基材的非功能區(qū)；
將安裝有LED支架基材的模具放入第三鍍液中電沉積2秒～5秒，采用電流密度為50安培/平方分米～200安培/平方分米，以在LED支架基材上形成0.5μm～2μm厚的銀層；該第二鍍液含銀量50g/L～80g/L，含氰化鉀2g/L～10g/L，含光亮劑1ml/L～5ml/L，含添加劑4ml/L～6ml/L，該第三鍍液的溫度為50℃～70℃，該第三鍍液的PH值為9.0～9.5；
用去離子水清洗吹干鍍銀后的LED支架基材。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在采用模具鍍銀的方式，將預(yù)鍍銀的LED支架基材定位到模具上，并屏蔽LED支架基材的非功能區(qū)步驟中，將硅膠鑲嵌在所述LED支架基材的非功能區(qū)；采用陶瓷釘將所述LED支架基材定位在模具上；再用壓帶把所述LED支架基材壓在模具上，且所述壓帶屏蔽所述LED支架基材的非功能區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在對完成局部鍍銀的LED支架的非功能區(qū)電解脫銀的步驟中，將已鍍鎳的LED支架基材放入第四鍍液中電沉積10秒～20秒，采用電流密度為2安培/平方分米～6安培/平方分米；該第四鍍液含脫銀粉80g/L～100g/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率LED支架的電鍍工藝，其特征在于，在對完成局部鍍銀的LED支架的非功能區(qū)電解脫銀步驟之后，還包括以下步驟：
將引線框架在室溫下放入銀保護(hù)水中浸泡5秒～10秒，該銀保護(hù)水的濃度為50ml/L～100ml/L，以在銀層表面形成一層有機(jī)保護(hù)膜，使銀層暴露在空氣中不被氧化。
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