一種封裝結構及焊接方法，其中封裝結構包括：基板連接層；位于所述基板連接層部分表面的芯片；位于所述芯片頂部表面的金屬導熱層；位于所述基板連接層上的散熱蓋，所述散熱蓋圍成的空間容納所述芯片和金屬導熱層；所述散熱蓋包括頂蓋，所述頂蓋包括鍍金區域和位于鍍金區域周圍的非鍍金區域，所述鍍金區域與所述金屬導熱層表面接觸，所述非鍍金區域與所述金屬導熱層表面不接觸，所述非鍍金區域具有朝向基板連接層且環繞所述鍍金區域的凸起。所述封裝結構的散熱性得到提高。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種封裝結構及焊接方法。

背景技術

BGA(ball grid Array)封裝產品是一種重要的電子封裝產品。BGA(ball gridArray)封裝產品的組成部分包括：BGA基片和PCB板。BGA基片和PCB板通過BGA基片中的焊球焊接在一起。

所述BGA基片包括散熱蓋，所述散熱蓋用于為BGA基片在工作的過程中產生的熱量散發至外界環境。

然而，現有的BGA封裝產品的散熱性能較差。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種封裝結構及焊接方法，以提高封裝結構的散熱性。

為解決上述問題，本發明提供一種封裝結構，包括：基板連接層；位于所述基板連接層部分表面的芯片；位于所述芯片頂部表面的金屬導熱層；位于所述基板連接層上的散熱蓋，所述散熱蓋圍成的空間容納所述芯片和金屬導熱層；所述散熱蓋包括頂蓋，所述頂蓋包括鍍金區域和位于鍍金區域周圍的非鍍金區域，所述鍍金區域與所述金屬導熱層表面接觸，所述非鍍金區域與所述金屬導熱層表面不接觸，所述非鍍金區域具有朝向基板連接層且環繞所述鍍金區域的凸起。

可選的，環繞所述鍍金區域的凸起一體成型；所述凸起呈環狀結構，所述凸起具有環繞所述鍍金區域的內側壁和環繞所述內側壁的外側壁。

可選的，所述凸起的內側壁至所述鍍金區域的邊緣之間的距離為0毫米～5毫米。

可選的，所述內側壁至所述外側壁之間的距離為0.5毫米～10毫米。

可選的，所述凸起在環繞鍍金區域的方向上各區域的高度一致。

可選的，所述凸起的高度為0.1毫米～2毫米。

可選的，所述凸起在環繞鍍金區域的方向上包括若干第一凸起區，所述凸起在環繞鍍金區域的方向上還包括位于相鄰第一凸起區之間的第二凸起區，所述第一凸起區沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸大于第二凸起區沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸，所述第二凸起區的高度小于所述第一凸起區的高度。

可選的，環繞所述鍍金區域的凸起數量為若干個，所述若干個凸起沿環繞所述鍍金區域的方向進行排列；所述封裝結構還包括：位于相鄰凸起之間的非鍍金區域中的凹槽。

可選的，各凸起沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸大于各凹槽沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸。

可選的，所述散熱蓋還包括側蓋，所述側蓋與所述頂蓋連接，所述側蓋位于所述基板連接層的邊緣區域上且位于芯片的側部，所述頂蓋位于所述側蓋、金屬導熱層和芯片上。

可選的，所述金屬導熱層的材料為銦、銦合金或銀合金。

可選的，所述鍍金區域朝向所述金屬導熱層的表面具有第一鍍層，第一鍍層與所述金屬導熱層表面接觸，所述第一鍍層的材料為金；所述非鍍金區域朝向基板連接層的表面具有第二鍍層，所述第二鍍層的材料為鎳。