本發明提供一種用于單晶硅拉制過程的氮氣控制配盤，包括：氮氣供給通道，包括質量流量控制器，用于控制通入氮氣的流量；氬氣供給通道，用于通入氬氣；總配通道，與所述氮氣供給通道和所述氬氣供給通道均連通，根據所述通入氮氣和所述通入氬氣的流量進行配比，將配比后的氣體通出，并且提供一種用于單晶硅拉制過程的氮氣控制配盤的方法，本發明的有益效果是可以通過工藝參數任意調節氮氣、氬氣的流量比例，實現氮氣、氬氣的平穩切換，通過電磁閥的作用防止意外發生，增加了氮氣拉晶的安全性。

技術領域

本發明屬于單晶硅生產技術領域，尤其是涉及一種用于單晶硅拉制過程中配合氬氣共同進行拉晶的氮氣控制配盤及方法。

背景技術

在現有技術中，硅單晶拉晶生產的過程中，采用高純氬氣作為保護氣，導致生產成本不斷增加，因此，通過通入氬氣與氮氣的混合氣來降低生產成本，但是氬氣與氮氣的比例在實際生產的過程中控制困難，增加生產負擔。

因此，需要一種氮氣配盤來完成此生產難題，現有的氮氣配盤大多是一些從頭到尾使用氮氣進行拉晶的配盤，其設計跟氬氣配盤大同小異，或者是氮氣氬氣來回切換的配盤，同一時間只能使用一種氣體進行拉晶，不能滿足氮氣氬氣精準切換的生產需求，存在氮氣氬氣切換的過程中控制不精確，影響單晶硅的生產質量的問題。

發明內容

本發明的目的是要解決背景技術中的問題，提供一種用于單晶硅拉制過程中配合氬氣共同進行拉晶的氮氣控制配盤及方法。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種用于單晶硅拉制過程的氮氣控制配盤，包括：

氮氣供給通道，包括質量流量控制器，用于控制通入氮氣的流量；

氬氣供給通道，用于通入氬氣；

總配通道，與所述氮氣供給通道和所述氬氣供給通道均連通，根據所述通入氮氣和所述通入氬氣的流量進行配比，將配比后的氣體通出。

優選地，所述氮氣供給通道包括第一氮氣供給通道和第二氮氣供給通道，所述第二氮氣供給通道包括所述質量流量控制器，所述第一氮氣供給通道和所述第二氮氣供給通道均與所述總配通道連通。

優選地，所述氮氣供給通道還包括第三氮氣供給通道，所述第三氮氣供給通道用于連通氮氣氣源，所述第三氮氣供給通道分別與所述第一氮氣供給通道和所述第二氮氣供給通道連通。

優選地，所述第一氮氣供給通道上依次設有第一氮氣入口、壓力傳感器、第一電磁閥和第一氮氣出口，所述第一氮氣出口與總配通道入口連通。

優選地，所述第二氮氣供給通道上依次設有第二氮氣入口、氮氣流量控制旋鈕、質量流量控制器、第二電磁閥和第二氮氣出口，所述氮氣流量控制旋鈕與氮氣流量表連接，所述第二氮氣出口與總配通道入口連通。

優選地，所述第三氮氣供給通道包括第三氮氣入口與第三氮氣出口，所述第三氮氣入口連接所述氮氣氣源，所述第三氮氣出口與所述第一氮氣入口和所述第二氮氣入口均連通。

一種用于單晶硅拉制過程的氮氣控制方法，應用上述的氮氣控制配盤，所述總配通道設有預設總通量，包括如下步驟：

S1：確定當前時刻的氮氣的預設通入量；

S2：根據所述氮氣的預設通入量，調節所述第二氮氣供給通道的質量流量控制器，以使所述氮氣向所述總配通道通入的氮氣通入量與所述預設通入量相當；

S3：判斷所述氮氣的預設通入量是否小于所述總配通道的預設總通量；

若是，則通過所述第二氬氣供給通道向所述總配通道通入氬氣，利用所述氬氣將所述預設總通量與所述氮氣的預設通入量之間的差額進行配比補齊；

S4：通過所述總配通道，根據所述預設總通量將所通入的氣體進行輸出。