[發(fā)明專利]一種用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P及方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810332692.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108330538A | 公開（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田野;高潤飛;郝勇;張全順;裘孝順;劉偉;張文霞;武志軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/06 | 分類號(hào)： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氬氣 氮?dú)?/a> 單晶硅拉制 氮?dú)饪刂?/a> 氮?dú)夤┙o 供給通道 配比 質(zhì)量流量控制器 任意調(diào)節(jié) 電磁閥 拉晶 連通 | ||
1.一種用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于，包括：
氮?dú)夤┙o通道，包括質(zhì)量流量控制器，用于控制通入氮?dú)獾牧髁浚?/p>
氬氣供給通道，用于通入氬氣；
總配通道，與所述氮?dú)夤┙o通道和所述氬氣供給通道均連通，根據(jù)所述通入氮?dú)夂退鐾ㄈ霘鍤獾牧髁窟M(jìn)行配比，將配比后的氣體通出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述氮?dú)夤┙o通道包括第一氮?dú)夤┙o通道和第二氮?dú)夤┙o通道，所述第二氮?dú)夤┙o通道包括所述質(zhì)量流量控制器，所述第一氮?dú)夤┙o通道和所述第二氮?dú)夤┙o通道均與所述總配通道連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述氮?dú)夤┙o通道還包括第三氮?dú)夤┙o通道，所述第三氮?dú)夤┙o通道用于連通氮?dú)鈿庠矗龅谌獨(dú)夤┙o通道分別與所述第一氮?dú)夤┙o通道和所述第二氮?dú)夤┙o通道連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述第一氮?dú)夤┙o通道上依次設(shè)有第一氮?dú)馊肟凇毫鞲衅鳌⒌谝浑姶砰y和第一氮?dú)獬隹冢龅谝坏獨(dú)獬隹谂c總配通道入口連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述第二氮?dú)夤┙o通道上依次設(shè)有第二氮?dú)馊肟凇⒌獨(dú)饬髁靠刂菩o、質(zhì)量流量控制器、第二電磁閥和第二氮?dú)獬隹冢龅獨(dú)饬髁靠刂菩o與氮?dú)饬髁勘磉B接，所述第二氮?dú)獬隹谂c總配通道入口連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述第三氮?dú)夤┙o通道包括第三氮?dú)馊肟谂c第三氮?dú)獬隹冢龅谌獨(dú)馊肟谶B接所述氮?dú)鈿庠矗龅谌獨(dú)獬隹谂c所述第一氮?dú)馊肟诤退龅诙獨(dú)馊肟诰B通。
7.一種用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂品椒ǎ涮卣髟谟冢簯?yīng)用如權(quán)利要求1-6所述的氮?dú)饪刂婆浔P，所述總配通道設(shè)有預(yù)設(shè)總通量，包括如下步驟：
S1：確定當(dāng)前時(shí)刻的氮?dú)獾念A(yù)設(shè)通入量；
S2：根據(jù)所述氮?dú)獾念A(yù)設(shè)通入量，調(diào)節(jié)所述第二氮?dú)夤┙o通道的質(zhì)量流量控制器，以使所述氮?dú)庀蛩隹偱渫ǖ劳ㄈ氲牡獨(dú)馔ㄈ肓颗c所述預(yù)設(shè)通入量相當(dāng)；
S3：判斷所述氮?dú)獾念A(yù)設(shè)通入量是否小于所述總配通道的預(yù)設(shè)總通量；
若是，則通過所述第二氬氣供給通道向所述總配通道通入氬氣，利用所述氬氣將所述預(yù)設(shè)總通量與所述氮?dú)獾念A(yù)設(shè)通入量之間的差額進(jìn)行配比補(bǔ)齊；
S4：通過所述總配通道，根據(jù)所述預(yù)設(shè)總通量將所通入的氣體進(jìn)行輸出。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于單晶硅拉制過程的氮?dú)饪刂婆浔P，其特征在于：所述S3步驟中，若否，則通過所述第一氮?dú)夤┙o通道向所述總配通道通入氮?dú)狻?/p>
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