本發(fā)明提供了一種紅外光學窗口及其制備方法，屬于紅外成像技術(shù)領域。所述紅外光學窗口包括基片，所述基片的頂部和底部均鍍制有光學膜，頂部光學膜的四周鍍制金屬膜，所述底部光學膜上鍍有一層保護膜。該紅外光學窗口在滿足紅外成像所需的透過率的同時，提升了該窗口的抗磨損能力及在惡劣環(huán)境下的耐受性。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及紅外成像技術(shù)領域，特別涉及一種紅外光學窗口及其制備方法。

背景技術(shù)

紅外光學窗口是非制冷紅外焦平面探測器系統(tǒng)中不可缺少的部件，主要應用于熱成像領域，其要求是紅外透過率的同時，濾掉某些雜散光，以達到成像效果清晰。在某些應用領域，因為大部分時間在野外工作，因此環(huán)境中的雨滴、砂粒等顆粒會對窗口表面膜層產(chǎn)生比較大的沖擊，其表面需要鍍制保護膜以提高其抗雨蝕、砂蝕的能力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種紅外光學窗口及其制備方法，在滿足紅外成像所需的透過率的同時，解決了現(xiàn)有窗口的抗磨損能力不足及在惡劣環(huán)境下的耐受性差的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種紅外光學窗口，用于非制冷紅外焦平面探測器，所述紅外光學窗口包括基片，所述基片的頂部和底部均鍍制有光學膜，頂部光學膜的四周鍍制金屬膜，所述底部光學膜上鍍有一層保護膜。

可選的，所述基片的材質(zhì)為鍺、硅、硒化鋅或石英玻璃。

可選的，所述光學膜的材質(zhì)為Ge、ZnS、CaF、YbF3、SiO中的一種或幾種。

可選的，所述金屬膜為Ti、Ni、Pt、Cr、Au中的一種或幾種。

可選的，所述保護膜為類金剛石薄膜，厚度為10~500nm。

可選的，所述類金剛石薄膜的形狀及大小根據(jù)探測器芯片大小及形狀可調(diào)。

本發(fā)明還提供了一種紅外光學窗口的制備方法，包括如下步驟：

步驟1、使用超聲波清洗機對基片進行清洗，并用甩干機甩干；

步驟2、通過光學鍍膜機在基片的底部鍍制光學膜；

步驟3、采用PECVD方法在底部光學膜的表面鍍制一層保護膜；

步驟4、采用硬掩膜方法在所述基片頂部做出鍍膜區(qū)域，鍍制光學膜；

步驟5、采用光刻制作出鍍制金屬膜的環(huán)形區(qū)域，鍍制金屬膜。

可選的，所述基片為雙面拋光基片。

可選的，所述基片底部的光學膜共1~100層，厚度為0.1~50μm。

可選的，所述基片頂部的光學膜共1~100層，厚度為0.1~50μm。

在本發(fā)明中提供了一種紅外光學窗口及其制備方法，所述紅外光學窗口包括基片，所述基片的頂部和底部均鍍制有光學膜，頂部光學膜的四周鍍制金屬膜，所述底部光學膜上鍍有一層保護膜。該紅外光學窗口在滿足紅外成像所需的透過率的同時，提升了該窗口的抗磨損能力及在惡劣環(huán)境下的耐受性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例一提供的紅外光學窗口結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例二提供的紅外光學窗口制備方法的流程示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的一種紅外光學窗口及其制備方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。

實施例一