[發(fā)明專利]一種紅外光學(xué)窗口及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810324897.1 | 申請日： | 2018-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN108459361A | 公開（公告）日： | 2018-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李旭光;趙培 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫奧夫特光學(xué)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/14 | 分類號： | G02B1/14 |
| 代理公司： | 總裝工程兵科研一所專利服務(wù)中心 32002 | 代理人： | 楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅外光學(xué)窗口 光學(xué)膜 鍍制 制備 耐受性 紅外成像技術(shù) 抗磨損能力 惡劣環(huán)境 紅外成像 保護(hù)膜 金屬膜 透過率 | ||
1.一種紅外光學(xué)窗口，用于非制冷紅外焦平面探測器，其特征在于，所述紅外光學(xué)窗口包括基片，所述基片的頂部和底部均鍍制有光學(xué)膜，頂部光學(xué)膜的四周鍍制金屬膜，所述底部光學(xué)膜上鍍有一層保護(hù)膜。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外光學(xué)窗口，其特征在于，所述基片的材質(zhì)為鍺、硅、硒化鋅或石英玻璃。
3.如權(quán)利要求1所述的紅外光學(xué)窗口，其特征在于，所述光學(xué)膜的材質(zhì)為Ge、ZnS、CaF、YbF3、SiO中的一種或幾種。
4.如權(quán)利要求1所述的紅外光學(xué)窗口，其特征在于，所述金屬膜為Ti、Ni、Pt、Cr、Au中的一種或幾種。
5.如權(quán)利要求1所述的紅外光學(xué)窗口，其特征在于，所述保護(hù)膜為類金剛石薄膜，厚度為10~500nm。
6.如權(quán)利要求5所述的紅外光學(xué)窗口，其特征在于，所述類金剛石薄膜的形狀及大小根據(jù)探測器芯片大小及形狀可調(diào)。
7.一種紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、使用超聲波清洗機(jī)對基片進(jìn)行清洗，并用甩干機(jī)甩干；
步驟2、通過光學(xué)鍍膜機(jī)在基片的底部鍍制光學(xué)膜；
步驟3、采用PECVD方法在底部光學(xué)膜的表面鍍制一層保護(hù)膜；
步驟4、采用硬掩膜方法在所述基片頂部做出鍍膜區(qū)域，鍍制光學(xué)膜；
步驟5、采用光刻制作出鍍制金屬膜的環(huán)形區(qū)域，鍍制金屬膜。
8.如權(quán)利要求7所述的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于，所述基片為雙面拋光基片。
9.如權(quán)利要求7所述的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于，所述基片底部的光學(xué)膜共1~100層，厚度為0.1~50μm。
10.如權(quán)利要求7所述的紅外光學(xué)窗口的制備方法，其特征在于，所述基片頂部的光學(xué)膜共1~100層，厚度為0.1~50μm。
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