本發(fā)明提供一種能夠更可靠地避免以晶圓為例的基板的破損、損傷的同時使基板從吸附保持該基板的保持臺脫離的基板的脫離方法和基板的脫離裝置。使具有扁平面的限制構(gòu)件接近被吸附保持于保持臺的晶圓。在扁平面與晶圓接近了的狀態(tài)下向保持臺與晶圓之間的間隙供給氣體。由于氣體的供給，使該間隙的減壓狀態(tài)被消除，因此，保持臺對晶圓的保持力可靠地降低。另外，由于氣體從流路的流通孔噴出導(dǎo)致的晶圓的上方移動被限制構(gòu)件的扁平面限制。因此，能夠防止由于減壓狀態(tài)的殘留導(dǎo)致的晶圓的脫離延遲，并且，也能夠避免由于氣體的不均勻的按壓力而導(dǎo)致晶圓的一部分突出、晶圓變形、晶圓破損的狀況發(fā)生。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于使進行了預(yù)定處理的基板從吸附保持該基板的保持臺脫離的基板的脫離方法和基板的脫離裝置。

背景技術(shù)

在利用具備電子電路的基板類、特別是半導(dǎo)體晶圓(以下，適當(dāng)稱為“晶圓”)制造芯片零部件的情況下，在電路圖案形成處理于晶圓的表面之后，以在晶圓表面粘貼有保護用的粘合帶的狀態(tài)進行背面研磨，實現(xiàn)薄型化。在自背面研磨處理完成后的晶圓剝離保護帶并向切割工序輸送晶圓之前，為了對晶圓進行加強，借助支承用的粘合帶(切割帶)將晶圓粘接保持于環(huán)框。

在對薄型化后的晶圓進行粘合帶的粘貼處理、切割處理這樣的各種處理的情況下，通常而言，使晶圓載置于以卡盤臺等為例的保持臺之上，在利用真空吸引等大范圍地吸附保持晶圓的下表面部分的狀態(tài)下進行各種處理。并且，在進行了各種處理之后，使晶圓從保持臺脫離并向預(yù)定的位置輸送晶圓。

在單純地使由保持臺實現(xiàn)的真空吸引停止后使晶圓脫離這樣的通常的結(jié)構(gòu)中，存在在晶圓的下表面部分的一部分與保持臺之間殘存減壓區(qū)域的情況。在該情況下，由于減壓區(qū)域的殘存而在晶圓的一部分產(chǎn)生脫離延遲，其結(jié)果，有時晶圓破損。

因此，提出了如下方法：在各種處理完成之后，使由保持臺實現(xiàn)的吸引停止，并且，一邊向保持臺與晶圓的下表面部分之間供給氣體而使減壓區(qū)域消除一邊使晶圓脫離。在該脫離方法中，從設(shè)置于保持臺的兩個以上或一個噴射孔噴射氣體，來供給氣體(參照例如專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005-109157號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在上述以往裝置中，存在如下那樣的問題。

在專利文獻1的以往的脫離方法中，因從噴射孔噴射氣體而向晶圓不均勻地作用按壓力。即，在噴射孔的周邊晶圓被特別強力地上推，因此，擔(dān)心由于不均勻的按壓力而導(dǎo)致晶圓發(fā)生變形和破損這樣的問題。特別是在由于切割處理、隱形切割處理等而使晶圓的強度降低的情況下，由于氣體的噴射而產(chǎn)生剪切力，晶圓在切割部分等處易于斷裂。其結(jié)果，顯著地產(chǎn)生晶圓的破損、晶圓的一部分散失這樣的問題。

本發(fā)明是鑒于這樣的狀況而做成的，其主要的目的在于提供一種能夠更可靠地避免晶圓的破損、損傷的同時使以晶圓為例的基板從吸附保持該基板的保持臺脫離的基板的脫離方法和基板的脫離裝置。

用于解決問題的方案

本發(fā)明為了達成這樣的目的，而采用如下那樣的構(gòu)成。

即，本發(fā)明是使基板從吸附保持所述基板的保持臺脫離的基板的脫離方法，其特征在于，

該基板的脫離方法具備：

接近過程，在該接近過程中，使具有扁平面且用于限制所述基板的限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接，使所述基板與所述扁平面之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的預(yù)定值；