[發(fā)明專利]基板的脫離方法和基板的脫離裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810291920.1 | 申請日： | 2018-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN108807220A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 村山聰洋;森伸一郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶圓 基板 脫離 減壓狀態(tài) 脫離裝置 吸附保持 限制構(gòu)件 扁平面 破損 供給氣體 上方移動(dòng) 按壓力 不均勻 流通孔 流路 噴出 延遲 變形 損傷 殘留 | ||
1.一種基板的脫離方法，其是使基板從吸附保持所述基板的保持臺脫離的基板的脫離方法，其特征在于，
該基板的脫離方法具備：
接近過程，在該接近過程中，使具有扁平面且用于限制所述基板的限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接，使所述基板與所述扁平面之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的預(yù)定值；
氣體供給過程，在該氣體供給過程中，在所述限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接后的狀態(tài)下，向所述基板與所述保持臺之間供給氣體，以使所述保持臺的保持力降低；以及
脫離過程，在該脫離過程中，使所述基板從所述保持臺脫離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板的脫離方法，其特征在于，
所述脫離過程是通過在所述限制構(gòu)件保持著所述基板的狀態(tài)下使所述限制構(gòu)件與所述基板一起從所述保持臺脫離來執(zhí)行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板的脫離方法，其特征在于，
所述預(yù)定值是0.5mm以下。
4.一種基板的脫離裝置，其特征在于，
該基板的脫離裝置具備：
保持臺，其用于載置并保持基板；
吸附機(jī)構(gòu)，其設(shè)置于所述保持臺，用于使所述基板吸附保持于所述保持臺；
限制構(gòu)件，其具有扁平面，用于限制所述基板；
接近機(jī)構(gòu)，其能夠進(jìn)行控制，使所述限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接，使所述扁平面與所述基板之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的預(yù)定值；以及
氣體供給部件，其在所述限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接的狀態(tài)下向所述保持臺與所述基板之間供給氣體，以使所述保持臺的保持力降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板的脫離裝置，其特征在于，
該基板的脫離裝置具備保持機(jī)構(gòu)，該保持機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述限制構(gòu)件，用于使所述基板保持于所述限制構(gòu)件，
所述限制構(gòu)件保持所述基板的同時(shí)從保持力降低后的所述保持臺脫離，從而使所述基板從所述保持臺脫離。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基板的脫離裝置，其特征在于，
所述扁平面比所述基板寬，
所述接近機(jī)構(gòu)以所述扁平面與所述基板正對的方式使所述限制構(gòu)件與所述基板接近或抵接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基板的脫離裝置，其特征在于，
所述保持臺具有保持環(huán)框的框架保持部，
該基板的脫離裝置具備粘貼機(jī)構(gòu)，該粘貼機(jī)構(gòu)用于跨保持于所述保持臺的所述環(huán)框和所述基板地粘貼粘合帶而制作安裝框。
8.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的基板的脫離裝置，其特征在于，
所述預(yù)定值是0.5mm以下。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
