[發明專利]解耦系統和用于解耦系統的方法在審
| 申請號: | 201810216980.7 | 申請日: | 2018-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN108695197A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | B·M·西亞德;N·P·赫卡索恩;D·海曼 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝落 偏轉板 凸緣 管芯輪廓 解耦系統 柔順關節 管芯 放松 開口 偏轉 耦合 低壓孔 低壓室 真空孔 耦合的 延伸 重合 解耦 配置 | ||
公開了一種解耦系統,其包括被配置為跨越低壓室的低壓孔口耦合的偏轉板。所述偏轉板包括延伸通過偏轉板的一個或多個真空孔。剝落凸緣在柔順關節處與偏轉板的其余部分耦合。管芯輪廓開口圍繞剝落凸緣從柔順關節以管芯輪廓的形狀延伸。所述管芯輪廓開口將剝落凸緣與偏轉板的其余部分分開。剝落凸緣包括放松構造和剝落構造,所述放松構造和剝落構造被配置為將管芯從管芯介質解耦。在放松構造中,所述剝落凸緣與所述偏轉板的其余部分重合。在剝落構造中,剝落凸緣被偏轉,并且凸緣的至少一部分與偏轉板的其余部分間隔開。
技術領域
本文總體上涉及但并不限于從運輸介質或存儲介質移除封裝,例如管芯。
背景技術
晶片被接合到諸如Mylar的傳輸或存儲介質,以便于在將晶片單一化成管芯之后進行運輸和存儲。在希望傳輸來自經單一化的晶片的一個或多個管芯時,從介質移除管芯并將其移動到盤、帶和軌道等,以在下游進行進一步處理,包括將管芯接合到基板(例如,封裝)。
在一些示例中,通過用針的陣列撬動管芯而從介質移除管芯。針的陣列抵靠介質的與在其上粘附管芯的表面相對的表面嚙合。管芯例如通過氣動吸附與操縱器耦合。針陣列被向上驅動到介質中。每個針的嚙合通過介質傳輸到管芯中。同時,與針陣列的移動對應地向上移動操縱器。通過介質傳輸的力將管芯撬動離開介質,由此將管芯與介質解耦。操縱器將解耦的管芯運輸到盤、帶和軌道等。
在其它示例中,介質包括熱激活材料,例如熱激活Mylar。在將管芯從介質解耦時,希望在管芯附近對介質局部加熱。一旦介質被加熱,管芯和介質之間的粘附被打破,并利用例如操縱器移除管芯。
附圖說明
在附圖中,類似的附圖標記可以在不同視圖中描述類似的部件,附圖未必按比例繪制。具有不同字母后綴的類似的附圖標記可以表示類似部件的不同實例。附圖總體上以舉例的方式而非限制的方式示出本文中論述的各種實施例。
圖1是解耦系統的一個示例的側視圖。
圖2是包括偏轉板和可移動臺的解耦器組件的一個示例的示意圖。
圖3是圖1的解耦系統的截面圖,該截面穿過解耦器組件截取。
圖4A是偏轉板的一個示例的透視圖。
圖4B是圖4A的偏轉板的頂視圖。
圖5A是解耦系統的示意圖,其中剝落凸緣處于放松構造。
圖5B是解耦系統的示意圖,其中剝落凸緣處于剝落構造。
圖5C是解耦系統的示意圖,其中剝落凸緣處于解耦構造,管芯與管芯介質分開。
圖6A是針對包括具有剝落凸緣的偏轉板的解耦系統的示例性線性應力曲線圖。
圖6B是針對包括針陣列的另一解耦系統的示例點應力曲線圖。
圖7是示出了用于將管芯介質與管芯解耦的方法的一個示例的框圖。
具體實施方式
本發明人已經認識到,除其它事情之外,要解決的問題可以包括使管芯上的由于從運輸或存儲介質(例如,介質或管芯介質)解耦管芯所產生的應力最小化。針陣列在管芯中產生很大的點載荷和對應的局部(并且相對較大的)應力。在至少一些示例中,來自針陣列的點載荷在管芯中產生裂痕或將管芯中已經存在的裂痕傳播開,這可能導致包括管芯的器件出現故障。在從介質解耦之后,在額外步驟中對管芯進行處理,包括將芯片與管芯接合、熱處理等的一個或多個。由針陣列的點載荷所產生或加重的裂痕所導致的管芯中的缺陷(在至少一些示例中)不會被檢測到,直到這些處理步驟之后的電氣測試。因此,為必須要丟棄或再循環的故障管芯增加了很大的時間、勞動量和價值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





