特征在于，具備：金屬基座板；上表面陶瓷基板，其設(shè)置于該基座板的上表面；半導(dǎo)體元件，其設(shè)置于該上表面陶瓷基板之上；以及基板，其設(shè)置在該金屬基座板之中，該基板具備埋入陶瓷基板、設(shè)置于該埋入陶瓷基板的上表面的上表面金屬圖案、以及設(shè)置于該埋入陶瓷基板的下表面的下表面金屬圖案，該上表面金屬圖案的導(dǎo)熱率和該下表面金屬圖案的導(dǎo)熱率比該金屬基座板的導(dǎo)熱率大。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及例如大電力的控制所使用的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中公開了向陶瓷基板的一個(gè)面接合金屬板的一個(gè)面，并且向陶瓷基板的另一個(gè)面接合了金屬基座板的一個(gè)面的金屬-陶瓷接合基板。該金屬-陶瓷接合基板是向金屬基座板至少接合了大于或等于1個(gè)強(qiáng)化件的基板。強(qiáng)化件的材料是陶瓷。強(qiáng)化件的一部分從金屬基座板露出。在金屬基座板之上設(shè)置有上述的陶瓷基板。在該陶瓷基板之上形成有作為電路圖案的金屬板。專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)是通過對強(qiáng)化件的配置與位置精密地進(jìn)行控制而實(shí)現(xiàn)翹曲的控制與散熱性的確保這兩者的兼顧。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-77389號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

由于金屬基座板與設(shè)置于金屬基座板之上的陶瓷基板之間的熱膨脹率的差異，在半導(dǎo)體元件動(dòng)作時(shí)金屬基座板有可能翹曲。因此，在專利文獻(xiàn)1所公開的技術(shù)中，將以陶瓷為材料的強(qiáng)化件插入至金屬基座板內(nèi)。

以陶瓷為材料的強(qiáng)化件的導(dǎo)熱率比金屬基座板的導(dǎo)熱率小。因此，如果使用專利文獻(xiàn)1所公開的金屬-陶瓷接合基板，則可想到熱阻的惡化。由于熱阻的惡化，需要對決定裝置的使用溫度的半導(dǎo)體元件的最大結(jié)溫進(jìn)行考慮，有可能變得無法充分發(fā)揮半導(dǎo)體元件的性能。即，有時(shí)由于熱阻高，因此必須使半導(dǎo)體元件的通電量降低。而且，越是在大電流下使用的大型模塊，金屬基座板的翹曲以及翹曲的波動(dòng)越大，因此為了抑制金屬基座板的翹曲，必須加厚強(qiáng)化件，如果加厚強(qiáng)化件，則熱阻進(jìn)一步惡化。

本發(fā)明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供能夠抑制金屬基座板的翹曲，并且使散熱性提高的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：金屬基座板；

上表面陶瓷基板，其設(shè)置于該金屬基座板的上表面；半導(dǎo)體元件，其設(shè)置于該上表面陶瓷基板之上；以及基板，其設(shè)置在該金屬基座板之中，該基板具有：埋入陶瓷基板；上表面金屬圖案，其設(shè)置于該埋入陶瓷基板的上表面；以及下表面金屬圖案，其設(shè)置于該埋入陶瓷基板的下表面，該上表面金屬圖案的導(dǎo)熱率和該下表面金屬圖案的導(dǎo)熱率比該金屬基座板的導(dǎo)熱率大。

本發(fā)明的其它特征在以下得以明確。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，在埋入至金屬基座板的埋入陶瓷基板的上表面和下表面設(shè)置有與金屬基座板的導(dǎo)熱率相比導(dǎo)熱率大的上表面金屬圖案和下表面金屬圖案，因而能夠抑制金屬基座板的翹曲，并且使散熱性提高。

附圖說明

圖1是實(shí)施方式1涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖2是實(shí)施方式2涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖3是變形例涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖4是實(shí)施方式3涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖5是實(shí)施方式4涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖6是實(shí)施方式5涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖7是圖6的局部放大圖。

圖8是實(shí)施方式6涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。

圖9是圖8的基板通孔等的俯視圖。

圖10是圖8的局部放大圖。

圖11是實(shí)施方式7涉及的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。