[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201780086761.5 | 申請日： | 2017-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN110383467B | 公開（公告）日： | 2022-12-30 |
| 發明（設計）人： | 齊藤省二;豬之口誠一郎 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/36 | 分類號： | H01L23/36;H01L23/12;H01L23/13;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：
金屬基座板；
上表面陶瓷基板，其設置于所述金屬基座板的上表面；
半導體元件，其設置于所述上表面陶瓷基板之上；以及
基板，其設置在所述金屬基座板之中，該基板具有：埋入陶瓷基板；上表面金屬圖案，其設置于所述埋入陶瓷基板的上表面；以及下表面金屬圖案，其設置于所述埋入陶瓷基板的下表面，
所述上表面金屬圖案的導熱率和所述下表面金屬圖案的導熱率比所述金屬基座板的導熱率大。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述埋入陶瓷基板的端部被所述金屬基座板覆蓋。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述下表面金屬圖案的下表面露出至外部。
4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述基板被埋入至所述金屬基座板，所述金屬基座板的下表面露出至外部。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述金屬基座板的下表面設置了針式鰭片。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述上表面金屬圖案與所述下表面金屬圖案的厚度不同。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，
所述上表面金屬圖案比所述下表面金屬圖案厚。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
具備多個所述基板。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，
設置有多個所述半導體元件，在所述半導體元件的正下方設置有所述基板。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
具備設置于所述上表面陶瓷基板之上的金屬膜，
所述半導體元件被固定至所述金屬膜，
穿過所述金屬膜的下表面外緣的鉛垂線和將所述金屬膜的下表面外緣與所述上表面金屬圖案的上表面外緣連結的線所成的角大于或等于45°。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，
設置有多個所述半導體元件，所述上表面金屬圖案以島狀形成有多個。
12.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述基板在所述半導體元件的正下方具有基板通孔，所述基板通孔被所述金屬基座板填埋。
13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，
具備設置于所述上表面陶瓷基板之上的金屬膜，
所述半導體元件被固定至所述金屬膜，
穿過所述金屬膜的下表面外緣的鉛垂線和將所述金屬膜的下表面外緣與所述基板通孔的上表面外緣連結的線所成的角大于或等于45°。
14.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述基板形成有與所述半導體元件相比寬度小的多個基板通孔，所述多個基板通孔被所述金屬基座板填埋。
15.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述埋入陶瓷基板形成有多個陶瓷基板通孔，所述多個陶瓷基板通孔被將所述上表面金屬圖案與所述下表面金屬圖案進行連接的連接金屬填埋。
16.根據權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，
所述上表面金屬圖案、所述下表面金屬圖案以及所述連接金屬由相同的材料形成。
17.根據權利要求1至16中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述埋入陶瓷基板由AlN或者Si3N4形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201780086761.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：密封片及半導體裝置的制造方法
- 下一篇：帶散熱片的功率模塊用基板
