一種電子調(diào)速器(1000)及無(wú)人機(jī)，涉及無(wú)人機(jī)技術(shù)。電子調(diào)速器(1000)包括：電容(1111)；第一電路板(1110)，用于承載電容(1111)，并且與電容(1111)電連接；以及金屬殼體(1200)，用于收容第一電路板(1110)；其中，金屬殼體(1200)的內(nèi)表面設(shè)置有至少一個(gè)容置槽(1201)，電容(1111)至少部分容置在容置槽(1201)中，以通過(guò)金屬殼體(1200)對(duì)電容(1111)進(jìn)行散熱。無(wú)人機(jī)包括：飛行控制器(2000)、電子調(diào)速器(1000)、電機(jī)(3000)，電子調(diào)速器(1000)用于根據(jù)飛行控制器(2000)發(fā)送的油門(mén)控制信號(hào)控制電機(jī)(3000)轉(zhuǎn)動(dòng)。電子調(diào)速器(1000)及無(wú)人機(jī)，通過(guò)在電子調(diào)速器(1000)的金屬殼體(1200)的內(nèi)表面設(shè)置容置槽(1201)，將電容(1111)收容在該容置槽(1201)中，能夠有效增大電容(1111)與金屬殼體(1200)的接觸面積，提高電容(1111)與金屬殼體(1200)之間的熱傳導(dǎo)效率，提高對(duì)電容(1111)的散熱效果，減少電容(1111)高溫失效的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及無(wú)人機(jī)技術(shù)，尤其涉及一種電子調(diào)速器及無(wú)人機(jī)。

背景技術(shù)

電子調(diào)速器是無(wú)人機(jī)中的重要部件之一，用于控制無(wú)人機(jī)中的電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)，以使無(wú)人機(jī)的啟停和調(diào)速等。

電子調(diào)速器包括控制電路板，控制電路板上設(shè)置有電容、MOS管等易發(fā)熱的電子元件，尤其是電容在承受大紋波電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，使電容的溫度過(guò)高，存在失效的風(fēng)險(xiǎn)。現(xiàn)有技術(shù)中，通常是將電容直接裸露在空氣中，利用空氣對(duì)流對(duì)電容進(jìn)行散熱，散熱效果較差；或者是在控制電路板上涂抹導(dǎo)熱硅膠，通過(guò)導(dǎo)熱硅膠與電容的接觸對(duì)電容進(jìn)行散熱，然而，基于成本與重量的考慮，通常是在控制電路板上涂抹較薄的導(dǎo)熱硅膠層，電容與導(dǎo)熱硅膠層的接觸面積很小，對(duì)電容的散熱效果仍然較差。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷，本發(fā)明提供一種用于電子調(diào)速器及無(wú)人機(jī)，能夠增大電容與金屬殼體的接觸面積，提高電容與金屬殼體之間的熱傳導(dǎo)效率，有效提高對(duì)電容的散熱效果，減少電容高溫失效的風(fēng)險(xiǎn)。

本發(fā)明的第一個(gè)方面是提供一種電子調(diào)速器，包括：

電容；

第一電路板，用于承載所述電容，并且與所述電容電連接；以及

金屬殼體，用于收容所述第一電路板；

其中，所述金屬殼體的內(nèi)表面設(shè)置有至少一個(gè)容置槽，所述電容至少部分容置在所述容置槽中，以通過(guò)所述金屬殼體對(duì)所述電容進(jìn)行散熱。

進(jìn)一步地，所述電容平躺地設(shè)置在所述容置槽中。

進(jìn)一步地，所述容置槽朝向所述電容的槽壁包括與所述電容的柱面接觸的接觸面。

進(jìn)一步地，所述接觸面包括與所述電容的柱面相適配的曲面。

進(jìn)一步地，所述接觸面與所述電容的柱面之間設(shè)置有導(dǎo)熱介質(zhì)；

其中，所述導(dǎo)熱介質(zhì)為液態(tài)或膏狀的導(dǎo)熱介質(zhì)，干涸后形成導(dǎo)熱層。

進(jìn)一步地，所述容置槽朝向所述電容的側(cè)壁包括與所述電容接觸的曲面，以及所述曲面與底壁的平面。

進(jìn)一步地，所述曲面與電容之間、所述平面與所述電容之間均填充有導(dǎo)熱介質(zhì)；

其中，所述導(dǎo)熱介質(zhì)為液態(tài)或膏狀的導(dǎo)熱介質(zhì)，干涸后形成導(dǎo)熱層。

進(jìn)一步地，所述容置槽與所述電容之間具有間隙。

進(jìn)一步地，所述電容槽與所述電容之間的間隙中填充有導(dǎo)熱介質(zhì)；

其中，所述導(dǎo)熱介質(zhì)包括如下至少一種：導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱硅膠、陽(yáng)極氧化膜以及相變化導(dǎo)熱介質(zhì)。

進(jìn)一步地，所述容置槽包括所述金屬殼體向下凹陷形成的第一容置空間。