本實用新型涉及一種電極結構、觸控板及觸控裝置。一種電極結構，用于觸控裝置，電極結構包括依次疊層的第一黑化層、過渡層及導電層。第一黑化層為鉬的氧化物層、鉬的氮化物層、鉬的氮氧化物層、鈮的氧化物層、鈮的氮化物層、鈮的氮氧化物層、鉻的氧化物層、鉻的氮化物層、鉻的氮氧化物層、鈦的氧化物層、鈦的氮化物層、鈦的氮氧化物層、鎢的氧化物層、鎢的氮化物層或鎢的氮氧化物層。過渡層為鉬層或鉬合金層。導電層為導電金屬層。上述電極結構具有優良的消影效果、附著性及靈敏度。

技術領域

本實用新型涉及觸控領域，特別是涉及一種電極結構、觸控板及觸控裝置。

背景技術

當前全球經濟借助于移動通信、移動互聯網、云計算、物聯網、電子商務的發展，信息技術的市場需求突飛猛漲，為新興電子產品提供了廣闊的應用領域。觸摸顯示技術只需在顯示屏上觸碰相應的圖案或者文字選項就能實現對顯示內容的操作，使人機互換變得更加簡潔直觀。

目前觸控裝置主要采用氧化銦錫(ITO)形成圖形來作為觸控電極。但由于觸控顯示面板朝著大尺寸、高靈敏、低響應時間等方向發展，ITO電極電阻大、成本高等因素限制了ITO的進一步應用。因此，具有低電阻及低成本優勢的新一代觸控技術Metal Mesh(金屬網格)成為ITO在中大尺寸發展勁敵。但由于金屬是非透明的，同時金屬具有高反射率及輕微金屬色澤等問題，使得人眼易于發現金屬電極反光，影響體驗效果。

目前有采用抗炫膜(AG膜)消除金屬反光，但是會降低透光性與顯示質量，也有采用金屬電極圖形后再電鍍黑化層來解決金屬電極的反光問題的技術，但現有的黑化層的耐化性不好、與金屬電極的附著力差，而且工藝復雜、成本高及良率低。

實用新型內容

基于此，本實用新型提供一種耐化性與附著性優異、且能明顯降低其中金屬網格結構反光的電極結構、觸控板及觸控裝置。

一種電極結構，用于觸控裝置，所述的電極結構包括依次疊層的第一黑化層、過渡層及導電層；

所述第一黑化層為鉬的氧化物層、鉬的氮化物層、鉬的氮氧化物層、鈮的氧化物層、鈮的氮化物層、鈮的氮氧化物層、鉻的氧化物層、鉻的氮化物層、鉻的氮氧化物層、鈦的氧化物層、鈦的氮化物層、鈦的氮氧化物層、鎢的氧化物層、鎢的氮化物層或鎢的氮氧化物層；所述過渡層為鉬層或鉬合金層；所述導電層為導電金屬層。

上述電極結構，包括依次疊層的第一黑化層、過渡層及導電層，第一黑化層能夠有效降低導電層金屬電極表面光線的反射，達到減少反射、導電金屬消影的目的，同時能夠滿足電極需要的較好的耐化性要求。過渡層能夠增加第一黑化層與導電層的附著力，防止加工過程中，第一黑化層從導電電極上脫落。另外經實驗測定，過渡層還能夠進一步的減少金屬電極表面光線的反射，提高消影效果。導電層為Ag層、Cu層或Al層等導電金屬層，相比傳統的觸控電極ITO，導電層的方阻小，信噪比大，有效提升了觸控電極的靈敏度。

在其中一個實施例中，所述第一黑化層為氧化鉬層、氮化鉬層、氮氧化鉬層、氧化鈮層、氮化鈮層、氮氧化鈮層、氧化鉻層、氮化鉻層、氮氧化鉻層、氧化鈦層、氮化鈦層、氮氧化鈦層、氧化鎢層、氮化鎢層、氮氧化鎢層。

在其中一個實施例中，所述第一黑化層的厚度為10nm～100nm；所述過渡層的厚度為10nm～150nm；所述導電層的厚度為50nm～800nm。

在其中一個實施例中，所述第一黑化層的厚度為10nm～50nm。

在其中一個實施例中，還包括層疊于所述導電層表面的保護層，所述保護層為鉬層或鉬合金層。保護層能夠防止導電層作為電極的的金屬被耐腐蝕性和耐氧化性，從而提高導電層的導電效率。