[實(shí)用新型]發(fā)光裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721548176.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207489912U | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳宗慶;吳建榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 揚(yáng)州艾笛森光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 225000 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 橫向發(fā)光二極管 發(fā)光二極管晶片 晶片 覆晶 發(fā)光裝置 波長(zhǎng) 導(dǎo)熱膠層 熒光粉層 基板 發(fā)射光譜 明顯缺陷 粘合 光譜 覆蓋 | ||
一種發(fā)光裝置,包含基板、覆晶發(fā)光二極管晶片、橫向發(fā)光二極管晶片、導(dǎo)熱膠層與熒光粉層。覆晶發(fā)光二極管晶片位于基板上。橫向發(fā)光二極管晶片位于覆晶發(fā)光二極管晶片上。橫向發(fā)光二極管晶片的波長(zhǎng)小于覆晶發(fā)光二極管晶片的波長(zhǎng)。導(dǎo)熱膠層位于覆晶發(fā)光二極管晶片與橫向發(fā)光二極管晶片之間,使得橫向發(fā)光二極管晶片粘合于覆晶發(fā)光二極管晶片。熒光粉層覆蓋橫向發(fā)光二極管晶片。橫向發(fā)光二極管晶片具有補(bǔ)齊全光譜的功能,使得發(fā)光裝置的發(fā)射光譜在各波長(zhǎng)無(wú)明顯缺陷。
技術(shù)領(lǐng)域
本案是有關(guān)于一種發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
在日常生活中,照明設(shè)備是不可或缺的。由于傳統(tǒng)鎢絲燈泡發(fā)光時(shí)需消耗大量的電能,因此近年來(lái)應(yīng)用發(fā)光二極管(Light emitting diode;LED)為光源的照明設(shè)備已越來(lái)越受歡迎。LED光源與鎢絲燈泡相較,具有壽命長(zhǎng)、耗電量低、耐震、亮度高等優(yōu)點(diǎn)。
一般而言,以LED作為光源的發(fā)光裝置可由藍(lán)光LED晶片覆蓋黃色熒光粉制作。當(dāng)藍(lán)光LED晶片發(fā)光時(shí),藍(lán)光進(jìn)入黃色熒光粉并將熒光粉激發(fā),經(jīng)混光而產(chǎn)生白光。然而,這樣的設(shè)計(jì)易在發(fā)射光譜(Emission spectrum)的淺藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域,產(chǎn)生明顯的缺陷,導(dǎo)致發(fā)光裝置的演色性指數(shù)難以提升。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的一技術(shù)態(tài)樣為一種發(fā)光裝置。
根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施方式,一種發(fā)光裝置包含基板、覆晶發(fā)光二極管晶片、橫向發(fā)光二極管晶片、導(dǎo)熱膠層與熒光粉層。覆晶發(fā)光二極管晶片位于基板上。橫向發(fā)光二極管晶片位于覆晶發(fā)光二極管晶片上。橫向發(fā)光二極管晶片的波長(zhǎng)小于覆晶發(fā)光二極管晶片的波長(zhǎng)。導(dǎo)熱膠層位于覆晶發(fā)光二極管晶片與橫向發(fā)光二極管晶片之間,使得橫向發(fā)光二極管晶片粘合于覆晶發(fā)光二極管晶片。熒光粉層覆蓋橫向發(fā)光二極管晶片。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述橫向發(fā)光二極管晶片具有背對(duì)覆晶發(fā)光二極管晶片的頂面,且此頂面具有導(dǎo)電接點(diǎn)電性連接基板的第一導(dǎo)電接點(diǎn)。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述覆晶發(fā)光二極管晶片具有朝向基板的底面,且此底面具有導(dǎo)電接點(diǎn)電性連接基板的第二導(dǎo)電接點(diǎn)。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述第一導(dǎo)電接點(diǎn)的輸入電流大于第二導(dǎo)電接點(diǎn)的輸入電流,且第二導(dǎo)電接點(diǎn)的輸入電流與第一導(dǎo)電接點(diǎn)的輸入電流的比值介于0.1至1。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述熒光粉層延伸至基板,且圍繞橫向發(fā)光二極管晶片與覆晶發(fā)光二極管晶片。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述覆晶發(fā)光二極管晶片的寬度大致等于橫向發(fā)光二極管晶片的寬度。發(fā)光裝置還包含遮光結(jié)構(gòu)。遮光結(jié)構(gòu)位于基板上,且圍繞橫向發(fā)光二極管晶片、覆晶發(fā)光二極管晶片與熒光粉層。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述覆晶發(fā)光二極管晶片的寬度小于橫向發(fā)光二極管晶片的寬度。熒光粉層的一部分位于橫向發(fā)光二極管晶片與基板之間。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述橫向發(fā)光二極管晶片為波長(zhǎng)約460nm的藍(lán)光二極管晶片,且覆晶發(fā)光二極管晶片為波長(zhǎng)約490nm的藍(lán)光二極管晶片。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述覆晶發(fā)光二極管晶片為紅光二極管晶片。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述橫向發(fā)光二極管晶片具有朝向覆晶發(fā)光二極管晶片的底面,且包含金屬層。金屬層位于此底面上且覆蓋覆晶發(fā)光二極管晶片。金屬層具有穿孔。
在本實(shí)用新型一實(shí)施方式中,上述橫向發(fā)光二極管晶片具有朝向覆晶發(fā)光二極管晶片的底面,且包含濾光層。濾光層位于此底面上且覆蓋覆晶發(fā)光二極管晶片。
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