[實用新型]發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721548176.6 | 申請日： | 2017-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN207489912U | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳宗慶;吳建榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚(yáng)州艾笛森光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 225000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 橫向發(fā)光二極管 發(fā)光二極管晶片 晶片 覆晶 發(fā)光裝置 波長 導(dǎo)熱膠層 熒光粉層 基板 發(fā)射光譜 明顯缺陷 粘合 光譜 覆蓋 | ||
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包含：
一基板；
一覆晶發(fā)光二極管晶片，位于該基板上；
一橫向發(fā)光二極管晶片，位于該覆晶發(fā)光二極管晶片上，其中該橫向發(fā)光二極管晶片的波長小于該覆晶發(fā)光二極管晶片的波長；
一導(dǎo)熱膠層，位于該覆晶發(fā)光二極管晶片與該橫向發(fā)光二極管晶片之間，使得該橫向發(fā)光二極管晶片粘合于該覆晶發(fā)光二極管晶片；以及
一熒光粉層，覆蓋該橫向發(fā)光二極管晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該橫向發(fā)光二極管晶片具有背對覆晶發(fā)光二極管晶片的一頂面，且該頂面具有一導(dǎo)電接點電性連接該基板的一第一導(dǎo)電接點。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該覆晶發(fā)光二極管晶片具有朝向該基板的一底面，且該底面具有一導(dǎo)電接點電性連接該基板的一第二導(dǎo)電接點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一導(dǎo)電接點的輸入電流大于該第二導(dǎo)電接點的輸入電流，且該第二導(dǎo)電接點的輸入電流與該第一導(dǎo)電接點的輸入電流的比值介于0.1至1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該熒光粉層延伸至該基板，且圍繞該橫向發(fā)光二極管晶片與該覆晶發(fā)光二極管晶片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該覆晶發(fā)光二極管晶片的寬度大致等于該橫向發(fā)光二極管晶片的寬度，該發(fā)光裝置還包含：
一遮光結(jié)構(gòu)，位于該基板上，且圍繞該橫向發(fā)光二極管晶片、該覆晶發(fā)光二極管晶片與該熒光粉層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該覆晶發(fā)光二極管晶片的寬度小于該橫向發(fā)光二極管晶片的寬度，該熒光粉層的一部分位于該橫向發(fā)光二極管晶片與該基板之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該橫向發(fā)光二極管晶片為波長約460nm的藍(lán)光二極管晶片，且該覆晶發(fā)光二極管晶片為波長約490nm的藍(lán)光二極管晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該覆晶發(fā)光二極管晶片為紅光二極管晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該橫向發(fā)光二極管晶片具有朝向該覆晶發(fā)光二極管晶片的一底面，且包含：
一金屬層，位于該底面上且覆蓋該覆晶發(fā)光二極管晶片，該金屬層具有一穿孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該橫向發(fā)光二極管晶片具有朝向該覆晶發(fā)光二極管晶片的一底面，且包含：
一濾光層，位于該底面上且覆蓋該覆晶發(fā)光二極管晶片。
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