[實(shí)用新型]多腔室晶圓處理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721449150.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207338328U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張大龍;欒劍鋒;劉家樺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 223300 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多腔室晶圓 處理 設(shè)備 | ||
一種多腔室晶圓處理設(shè)備,包括:傳送腔室、與所述傳送腔室連接的鎖定腔室,所述鎖定腔室與傳送腔室之間設(shè)置有閥門(mén),其特征在于,包括:所述鎖定腔室與傳送腔室之間的閥門(mén)包括第一閥門(mén)和第二閥門(mén),所述第一閥門(mén)位于鎖定腔室一側(cè),所述第二閥門(mén)位于傳送腔室一側(cè)。所述多腔室晶圓處理設(shè)備在鎖定腔室進(jìn)行維護(hù)的過(guò)程中,不會(huì)影響傳送腔室的內(nèi)環(huán)境,不影響主腔室的利用,提高設(shè)備的生產(chǎn)率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種多腔室晶圓處理設(shè)備。
背景技術(shù)
晶圓處理工藝實(shí)在一個(gè)多腔室的工藝系統(tǒng)內(nèi)進(jìn)行的,例如一個(gè)具有多個(gè)處理腔室的晶圓處理設(shè)備。
多腔室具有多腔室的晶圓處理設(shè)備包括多個(gè)處理腔室,例如沉積腔室、刻蝕腔室、退火腔室等,還包括一個(gè)或多個(gè)鎖定腔室,用來(lái)隔絕晶圓處理內(nèi)部的真空和外部大氣環(huán)境,作為晶圓從大氣環(huán)境進(jìn)入真空狀態(tài)的一個(gè)緩沖區(qū)間。各個(gè)處理腔室與負(fù)載鎖定室之間構(gòu)成一傳送腔,所述傳送腔內(nèi)設(shè)置機(jī)械臂,用于在各個(gè)腔室以及負(fù)載鎖定室之間傳送晶圓。
鎖定腔室靠近傳送區(qū)域的一端設(shè)置有真空閥門(mén),作為負(fù)載鎖定室與傳送區(qū)域之間的隔離閥門(mén)。與當(dāng)其中一個(gè)或多個(gè)鎖定腔室處于維護(hù)狀態(tài)時(shí),例如更換真空閥門(mén)或者清洗時(shí),導(dǎo)致傳送腔無(wú)法維持真空狀態(tài),且容易使得鎖定腔室內(nèi)的雜質(zhì)顆粒等進(jìn)入傳送腔或者處理腔室內(nèi),導(dǎo)致顆粒問(wèn)題。因此,即便晶圓處理設(shè)備具備兩個(gè)以上的鎖定腔室,但是只要當(dāng)其中一個(gè)鎖定腔室處于維護(hù)過(guò)程中,整個(gè)晶圓處理設(shè)備就不可以進(jìn)行正常工作,大大減少了機(jī)臺(tái)的產(chǎn)能,還容易使得傳送腔的顆粒問(wèn)題風(fēng)險(xiǎn)增加。
因此,需要對(duì)現(xiàn)有的多腔室晶圓處理設(shè)備進(jìn)行改進(jìn),以提高機(jī)臺(tái)的生產(chǎn)量。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,提供一種多腔室晶圓處理設(shè)備,以提高產(chǎn)量。
為了解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種多腔室晶圓處理設(shè)備,包括:傳送腔室、與所述傳送腔室連接的鎖定腔室,所述鎖定腔室與傳送腔室之間設(shè)置有閥門(mén),所述鎖定腔室與傳送腔室之間的閥門(mén)包括第一閥門(mén)和第二閥門(mén),所述第一閥門(mén)位于鎖定腔室一側(cè),所述第二閥門(mén)位于傳送腔室一側(cè)。
可選的,所述鎖定腔室包括鎖定區(qū)域與密封隔間,所述密封隔間連接所述鎖定區(qū)域與傳送腔室,所述密封隔間具有殼體,所述殼體朝向所述鎖定區(qū)域與傳送腔室的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁均具有一間隙;所述第一閥門(mén)和第二閥門(mén)相對(duì)設(shè)置于所述密封隔間內(nèi),所述第一閥門(mén)用于控制位于鎖定區(qū)域一側(cè)的間隙的開(kāi)啟和關(guān)閉,所述第二閥門(mén)用于控制位于傳送腔室一側(cè)的間隙的開(kāi)啟和關(guān)閉。
可選的,所述第一閥門(mén)連接至第一驅(qū)動(dòng)裝置,所述第二閥門(mén)連接至第二驅(qū)動(dòng)裝置,所述第一驅(qū)動(dòng)裝置和第二驅(qū)動(dòng)裝置用于分別驅(qū)動(dòng)所述第一閥門(mén)和第二閥門(mén)運(yùn)動(dòng)。
可選的,還包括用于感應(yīng)所述第一驅(qū)動(dòng)裝置和第二驅(qū)動(dòng)裝置的感應(yīng)器。
可選的,所述第一閥門(mén)和第二閥門(mén)為翻板閥門(mén),用于圍繞轉(zhuǎn)動(dòng)軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)以改變間隙的開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài);所述第一閥門(mén)的開(kāi)啟方向與第二閥門(mén)的開(kāi)啟方向相反,所述第一閥門(mén)的關(guān)閉方向與第二閥門(mén)的關(guān)閉方向相反。
可選的,所述第一閥門(mén)和第二閥門(mén)為升降閥門(mén),用于通過(guò)升降運(yùn)動(dòng)以改變間隙的開(kāi)啟和關(guān)閉狀態(tài)。
可選的,所述第一閥門(mén)和第二閥門(mén)的尺寸形狀相同。
可選的,還包括兩個(gè)以上處理腔室,與所述傳送腔室連接。
本實(shí)用新型的多腔室晶圓處理設(shè)備的鎖定腔室與傳送腔室之間具有第一閥門(mén)和第二閥門(mén),第一閥門(mén)位于鎖定腔室一側(cè),所述第二閥門(mén)位于傳送腔室一側(cè)。在對(duì)鎖定腔室進(jìn)行維護(hù)過(guò)程中,可以將所述第二閥門(mén)關(guān)閉,從而不影響所述傳送腔室內(nèi)的環(huán)境,避免對(duì)傳送腔室造成污染等問(wèn)題;從而多腔室晶圓處理設(shè)備在其他鎖定腔室能夠正常工作的情況下,能夠繼續(xù)對(duì)晶圓進(jìn)行處理,從而提高晶圓處理設(shè)備的生產(chǎn)率和主腔體的利用率。
附圖說(shuō)明
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





