[實(shí)用新型]多腔室晶圓處理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721449150.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207338328U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張大龍;欒劍鋒;劉家樺 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 *** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多腔室晶圓 處理 設(shè)備 | ||
1.一種多腔室晶圓處理設(shè)備，包括：傳送腔室、與所述傳送腔室連接的鎖定腔室，所述鎖定腔室與傳送腔室之間設(shè)置有閥門，其特征在于，所述鎖定腔室與傳送腔室之間的閥門包括第一閥門和第二閥門，所述第一閥門位于鎖定腔室一側(cè)，所述第二閥門位于傳送腔室一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述鎖定腔室包括鎖定區(qū)域與密封隔間，所述密封隔間連接所述鎖定區(qū)域與傳送腔室，所述密封隔間具有殼體，所述殼體朝向所述鎖定區(qū)域與傳送腔室的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁均具有一間隙；所述第一閥門和第二閥門相對(duì)設(shè)置于所述密封隔間內(nèi)，所述第一閥門用于控制位于鎖定區(qū)域一側(cè)的間隙的開啟和關(guān)閉，所述第二閥門用于控制位于傳送腔室一側(cè)的間隙的開啟和關(guān)閉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述第一閥門連接至第一驅(qū)動(dòng)裝置，所述第二閥門連接至第二驅(qū)動(dòng)裝置，所述第一驅(qū)動(dòng)裝置和第二驅(qū)動(dòng)裝置用于分別驅(qū)動(dòng)所述第一閥門和第二閥門運(yùn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，還包括用于感應(yīng)所述第一驅(qū)動(dòng)裝置和第二驅(qū)動(dòng)裝置的感應(yīng)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述第一閥門和第二閥門為翻板閥門，用于圍繞轉(zhuǎn)動(dòng)軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)以改變間隙的開啟和關(guān)閉狀態(tài)；所述第一閥門的開啟方向與第二閥門的開啟方向相反，所述第一閥門的關(guān)閉方向與第二閥門的關(guān)閉方向相反。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述第一閥門和第二閥門為升降閥門，用于通過(guò)升降運(yùn)動(dòng)以改變間隙的開啟和關(guān)閉狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，所述第一閥門和第二閥門的尺寸形狀相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多腔室晶圓處理設(shè)備，其特征在于，還包括兩個(gè)以上處理腔室，與所述傳送腔室連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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