技術領域

本實用新型涉及一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器。

背景技術

MIM（金屬層-絕緣層-金屬層）電容器是集成電路工藝中一種常見的片內(nèi)電容器件。芯片中集成大面積MIM電容器時需要考慮其所占用的金屬面積以及寄生阻抗對電路性能的影響。

常見工藝中的現(xiàn)有MIM電容器的剖面結(jié)構如圖1所示，該MIM電容器由下至上包括第一金屬層1、層間金屬層2、第二金屬層3，各金屬層之間由絕緣層4彼此間隔。其中，第一金屬層1和層間金屬層2對應構成MIM電容器，MIM電容器作為一個平板電容器件，第一金屬層1為其下極板，層間金屬層2為其上極板。一般來說，第一金屬層1和第二金屬層3較厚，材質(zhì)的電阻率也較小，而二者之間的層間金屬層2較薄，材質(zhì)的電阻率也較大，為了降低MIM電容器的上極板層間金屬層2的連線阻抗，通常使用通孔5將大面積的第二金屬層3與層間金屬層2并聯(lián)，現(xiàn)有版圖布圖方式如圖2所示，大面積的第二金屬層3占用了芯片上的大量面積，進而影響芯片面積的利用效率。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器，既能降低電容器上極板的連線阻抗，又能節(jié)省金屬層占用面積，提高芯片面積的利用效率。

基于以上考慮，本實用新型的提出一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器，適于應用于集成電路的片內(nèi)電容，由下至上包括第一金屬層、層間金屬層、第二金屬層，各金屬層之間由絕緣層彼此間隔；第一金屬層包括第一金屬層A區(qū)域和第一金屬層B區(qū)域，層間金屬層包括層間金屬層A區(qū)域和層間金屬層B區(qū)域，第一金屬層A區(qū)域和層間金屬層A區(qū)域?qū)獦嫵蒑IM_A電容器，第一金屬層B區(qū)域和層間金屬層B區(qū)域?qū)獦嫵蒑IM_B電容器；MIM_A電容器的下極板第一金屬層A區(qū)域與MIM_B電容器的上極板層間金屬層B區(qū)域通過第二金屬層的一部分連線相連，MIM_A電容器的上極板層間金屬層A區(qū)域與MIM_B電容器的下極板第一金屬層B區(qū)域通過第二金屬層的另一部分連線相連，以降低層間金屬層的阻抗。

優(yōu)選的，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述方向延伸。

優(yōu)選的，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列且在另一方向上交錯耦合設置，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述另一方向延伸。

優(yōu)選的，第二金屬層的面積小于層間金屬層、第一金屬層的面積。

優(yōu)選的，層間金屬層的厚度小于第一金屬層、第二金屬層的厚度。

優(yōu)選的，層間金屬層、第一金屬層分別通過多個通孔與第二金屬層相連。

本實用新型的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，利用大面積的第一金屬層不僅僅作為MIM電容器的下極板，而是分配到電容器的兩個端口，降低了電容器上極板的連線阻抗，因此不再需要大面積的第二金屬層來降低上極板的連線阻抗，從而節(jié)省了第二金屬層的占用面積，提高了芯片面積的利用效率。

附圖說明

通過說明書附圖以及隨后與說明書附圖一起用于說明本實用新型某些原理的具體實施方式，本實用新型所具有的其它特征和優(yōu)點將變得清楚或得以更為具體地闡明。

圖1為現(xiàn)有MIM電容器的剖視圖；

圖2為現(xiàn)有MIM電容器的俯視圖；

圖3為根據(jù)本實用新型一個實施例的MIM電容器的俯視圖；

圖4為根據(jù)本實用新型一個實施例的MIM電容器的電路圖；

圖5為根據(jù)本實用新型另一實施例的MIM電容器的俯視圖；

圖6為根據(jù)本實用新型又一實施例的MIM電容器的俯視圖。

具體實施方式

為解決上述現(xiàn)有技術中的問題，本實用新型提供一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器，利用大面積的第一金屬層不僅僅作為MIM電容器的下極板，而是分配到電容器的兩個端口，降低了電容器上極板的連線阻抗，因此不再需要大面積的第二金屬層來降低上極板的連線阻抗，從而節(jié)省了第二金屬層的占用面積，提高了芯片面積的利用效率。

在以下優(yōu)選的實施例的具體描述中，將參考構成本實用新型一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠?qū)崿F(xiàn)本實用新型的特定的實施例。示例的實施例并不旨在窮盡根據(jù)本實用新型的所有實施例。可以理解，在不偏離本實用新型的范圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結(jié)構性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述并非限制性的，且本實用新型的范圍由所附的權利要求所限定。