[實用新型]金屬層-絕緣層-金屬層電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721112455.8 | 申請日： | 2017-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN207303086U | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁啟源;王富中;楊雙越;李建明 | 申請（專利權(quán)）人： | 格科微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 絕緣 電容器 | ||
1.一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器，適于應(yīng)用于集成電路的片內(nèi)電容，其特征在于，
由下至上包括第一金屬層、層間金屬層、第二金屬層，各金屬層之間由絕緣層彼此間隔；
第一金屬層包括第一金屬層A區(qū)域和第一金屬層B區(qū)域，層間金屬層包括層間金屬層A區(qū)域和層間金屬層B區(qū)域，第一金屬層A區(qū)域和層間金屬層A區(qū)域?qū)?yīng)構(gòu)成MIM_A電容器，第一金屬層B區(qū)域和層間金屬層B區(qū)域?qū)?yīng)構(gòu)成MIM_B電容器；
MIM_A電容器的下極板第一金屬層A區(qū)域與MIM_B電容器的上極板層間金屬層B區(qū)域通過第二金屬層的一部分連線相連，MIM_A電容器的上極板層間金屬層A區(qū)域與MIM_B電容器的下極板第一金屬層B區(qū)域通過第二金屬層的另一部分連線相連，以降低層間金屬層的阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列且在另一方向上交錯耦合設(shè)置，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述另一方向延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，第二金屬層的面積小于層間金屬層、第一金屬層的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，層間金屬層的厚度小于第一金屬層、第二金屬層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，層間金屬層、第一金屬層分別通過多個通孔與第二金屬層相連。
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