技術領域

本實用新型涉及金剛石薄膜技術領域，具體為一種金剛石薄膜的射頻等離子化學氣相沉積裝置。

背景技術

金剛石薄膜具有較高的硬度，良好的熱傳導率，極低的摩擦系數，優異的電絕緣性能，高的化學穩定性及紅外透光性能。而現有的金剛石薄膜制成裝置存在著，由于在沉積時，CVD反應室內的壓力變化，造成生成的金剛石薄膜厚度不均勻、影響生產效率和沉積速率，導致金剛石薄膜穩定性、可調性和重復性較差，使生成的金剛石薄膜質量不能滿足金剛石薄膜的使用需要。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種金剛石薄膜的射頻等離子化學氣相沉積裝置，具備沉積速度快、厚度均勻、穩定性好、質量高的優點，解決了現有的金剛石薄膜制成存在的厚度小且不均勻，速率低、穩定性較差、質量低的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種金剛石薄膜的射頻等離子化學氣相沉積裝置，包括CVD反應室，所述CVD反應室的內壁上設置有磁感應線圈，所述CVD反應室的底部設置有反應臺，所述反應臺的頂部設置有升降臺，所述升降臺的頂部設置有基體，所述基體和升降臺之間設置有襯底，所述反應氣體混合器通過管道連接有甲烷氣體罐和氫氣罐，所述甲烷氣體罐和氫氣罐與反應氣體混合器之間均設置有流量計，所述反應氣體混合器的出口通過管道連接有射頻等離子發生器，所述射頻等離子發生器通過波導與CVD反應室連接。

優選的，所述CVD反應室的一側上通過氣管與真空泵連接，所述真空泵和CVD反應室之間的氣管上設置有壓力表。

優選的，所述波導的一端上設置有噴管，所述噴管上設置有多個均速噴氣噴頭，所述均速噴氣噴頭設置在基體的正上方。

優選的，所述反應臺的底部設置有氣缸，所述氣缸通過升降桿與升降臺連接，所述升降臺的頂部設置有熱偶加熱絲。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果如下：

1、本實用新型通過設置在CVD反應室上的真空泵和壓力表，可對CVD反應室內的壓力進行控制，使CVD反應室的壓力保持在0.13Pa左右，在負偏壓作用下沉積到基體上形成金剛石薄膜，在低壓下生成的金剛石薄膜，厚度均勻、生產效率高、沉積速率高、穩定性好、可調性和重復性好，保證金剛石薄膜的質量。

2、本實用新型通過設置的均速噴氣噴頭，可將射頻等離子發生器內的等離子均速噴在基體上，有效提高基體上形成的金剛石薄膜厚度均勻性和穩定性，通過將基體放置在升降臺上，可調節基體和均速噴氣噴頭之間的間距，從而可控制基體上金剛石薄膜的沉積速度。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為本實用新型結構CVD反應室示意圖；

圖3為本實用新型結構反應臺示意圖。

圖中：1-CVD反應室，2-磁感應線圈，3-反應臺，4-反應氣體混合器，5-噴管，6-甲烷氣體罐，7-氫氣罐，8-射頻等離子發生器，9-波導，10-真空泵，11-壓力表，12-襯底，13-基體，14-升降臺，15-均速噴氣噴頭，16-熱偶加熱絲，17-升降桿，18-氣缸。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1-3，本實用新型提供一種技術方案：一種金剛石薄膜的射頻等離子化學氣相沉積裝置，包括CVD反應室1，所述CVD反應室1的內壁上設置有磁感應線圈2，所述CVD反應室1的底部設置有反應臺3，所述反應臺3的頂部設置有升降臺14，所述升降臺14的頂部設置有基體13，所述基體13和升降臺14之間設置有襯底12，所述反應氣體混合器4通過管道連接有甲烷氣體罐6和氫氣罐7，所述甲烷氣體罐6和氫氣罐7與反應氣體混合器4之間均設置有流量計，所述反應氣體混合器4的出口通過管道連接有射頻等離子發生器8，所述射頻等離子發生器8通過波導9與CVD反應室1連接。