[實(shí)用新型]一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720267999.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN206512273U | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 皮超杰;徐國龍;夏震 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鄭州嘉晨化工科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C23C16/507 | 分類號(hào)： | C23C16/507 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 451191 河南省鄭州市*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金剛石 薄膜 射頻 等離子 化學(xué) 沉積 裝置 | ||
1.一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置，包括CVD反應(yīng)室(1)和反應(yīng)氣體混合器(4)，其特征在于：所述CVD反應(yīng)室(1)的內(nèi)壁上設(shè)置有磁感應(yīng)線圈(2)，所述CVD反應(yīng)室(1)的底部設(shè)置有反應(yīng)臺(tái)(3)，所述反應(yīng)臺(tái)(3)的頂部設(shè)置有升降臺(tái)(14)，所述升降臺(tái)(14)的頂部設(shè)置有基體(13)，所述基體(13)和升降臺(tái)(14)之間設(shè)置有襯底(12)，所述反應(yīng)氣體混合器(4)通過管道連接有甲烷氣體罐(6)和氫氣罐(7)，所述甲烷氣體罐(6)和氫氣罐(7)與反應(yīng)氣體混合器(4)之間均設(shè)置有流量計(jì)，所述反應(yīng)氣體混合器(4)的出口通過管道連接有射頻等離子發(fā)生器(8)，所述射頻等離子發(fā)生器(8)通過波導(dǎo)(9)與CVD反應(yīng)室(1)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述CVD反應(yīng)室(1)的一側(cè)上通過氣管與真空泵(10)連接，所述真空泵(10)和CVD反應(yīng)室(1)之間的氣管上設(shè)置有壓力表(11)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述波導(dǎo)(9)的一端上設(shè)置有噴管(5)，所述噴管(5)上設(shè)置有多個(gè)均速噴氣噴頭(15)，所述均速噴氣噴頭(15)設(shè)置在基體(13)的正上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金剛石薄膜的射頻等離子化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于：所述反應(yīng)臺(tái)(3)的底部設(shè)置有氣缸(18)，所述氣缸(18)通過升降桿(17)與升降臺(tái)(14)連接，所述升降臺(tái)(14)的頂部設(shè)置有熱偶加熱絲(16)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于鄭州嘉晨化工科技有限公司，未經(jīng)鄭州嘉晨化工科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201720267999.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
