[發明專利]儲存系統與儲存方法在審
| 申請號： | 201711395467.0 | 申請日： | 2017-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN109949850A | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 巫宗鴻;林信宇 | 申請（專利權）人： | 光寶電子(廣州)有限公司;光寶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/04 | 分類號： | G11C29/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 錯誤型態 儲存 讀取 儲存系統 樣板 控制電路 存取 快閃記憶體 存取動作 數據發生 整體效能 測試 修復 | ||
1.一種儲存系統，其特征在于，包含：
一快閃記憶體；
一控制器，耦接于該快閃記憶體，該控制器包含：
一儲存裝置，用以儲存一重試表，該重試表中記載多個錯誤型態樣板，其中，該些錯誤型態樣板包含多個預設錯誤型態；
一控制電路，用以讀取儲存于該快閃記憶體的一數據，當該控制電路于讀取該數據發生一存取錯誤時，該控制電路讀取該重試表，依據該些錯誤型態樣板依序進行測試，以判斷該存取錯誤的一當前錯誤型態，并依據該當前錯誤型態，以進行一調整存取動作。
2.根據權利要求1所述的儲存系統，其特征在于，該當前錯誤型態包含一數據保留型態、一讀取干擾型態或一高寫低讀型態。
3.根據權利要求2所述的儲存系統，其特征在于，該數據儲存于該快閃記憶體中的一第一記憶區塊，且該儲存系統更包含：
一快取記憶體；
當該當前錯誤型態為該讀取干擾型態時，該控制電路將該第一記憶區塊所儲存的內容通過一修正錯誤演算法校正后，復制至一第二記憶區塊及/或快取記憶體。
4.根據權利要求2所述的儲存系統，其特征在于，該數據儲存于該快閃記憶體中的一第一記憶區塊；
當該當前錯誤型態為該數據保留型態時，該控制電路將該第一記憶區塊所儲存的內容復制至一第二記憶區塊。
5.根據權利要求2所述的儲存系統，其特征在于，當該當前錯誤型態為該高寫低讀型態或一低寫高讀型態時，該控制電路調整用以讀取該快閃記憶體的一存取電壓值，以讀取正確的該數據。
6.根據權利要求1所述的儲存系統，其特征在于，該控制電路讀取該重試表，依據該些錯誤型態樣板中的多組電壓飄移值，以調整用以讀取該快閃記憶體的一存取電壓值，并通過該存取電壓值以讀取該數據，依序測試每組該些電壓飄移值，直到該控制電路讀取到正確的該數據時，則將依據產生正確的該數據的該組電壓飄移值，所對應的該錯誤型態樣板以判斷該存取錯誤的該當前錯誤型態。
7.一種儲存方法，其特征在于，包含：
儲存一重試表，該重試表中記載多個錯誤型態樣板，其中，該些錯誤型態樣板包含多個錯誤型態；
讀取儲存于一快閃記憶體的一數據；
當該控制電路于讀取該數據發生一存取錯誤時，通過一控制電路讀取該重試表，依據該些錯誤型態樣板依序進行測試，以判斷該存取錯誤的一當前錯誤型態，并依據該當前錯誤型態，以進行一調整存取動作。
8.根據權利要求7所述的儲存方法，其特征在于，該當前錯誤型態包含一數據保留型態、一讀取干擾型態或一高寫低讀型態。
9.根據權利要求8所述的儲存方法，其特征在于，該數據儲存于該快閃記憶體中的一第一記憶區塊，且該儲存方法更包含：
當該當前錯誤型態為該讀取干擾型態時，該控制電路將該第一記憶區塊所儲存的內容通過一修正錯誤演算法校正后，復制至一第二記憶區塊及/或一快取記憶體。
10.根據權利要求8所述的儲存方法，其特征在于，該數據儲存于該快閃記憶體中的一第一記憶區塊，且該儲存方法更包含：
當該當前錯誤型態為該數據保留型態時，該控制電路將該第一記憶區塊所儲存的內容復制至一第二記憶區塊。
11.根據權利要求8所述的儲存方法，其特征在于，當該當前錯誤型態為該高寫低讀型態或一低寫高讀型態時，該控制電路調整用以讀取該快閃記憶體的一存取電壓值，以讀取正確的該數據。
12.根據權利要求7所述的儲存方法，其特征在于，該控制電路讀取該重試表，依據該些錯誤型態樣板中的多組電壓飄移值，以調整用以讀取該快閃記憶體的一存取電壓值，并通過該存取電壓值以讀取該數據，依序測試每組該些電壓飄移值，直到該控制電路讀取到正確的該數據時，則將依據產生正確的該數據的該組電壓飄移值，所對應的該錯誤型態樣板以判斷該存取錯誤的該當前錯誤型態。
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