[發明專利]單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線在審
| 申請號： | 201711333485.6 | 申請日： | 2017-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN109912227A | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發明（設計）人： | 孫桂紅;祝海生;陳立;凌云;黃夏;黃樂;黃國興 | 申請（專利權）人： | 湘潭宏大真空技術股份有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/09 | 分類號： | C03C17/09 |
| 代理公司： | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人： | 張超宇;馮子玲 |
| 地址： | 411100 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳送腔室 鍍膜 鍍膜生產線 傳動臺 質檢臺 出口緩沖腔 進口緩沖腔 出口腔室 濺射腔室 進口腔室 依次連接 上片 質檢 大規模工業化生產 室內 低成本生產 濺射沉積 通用性強 真空鍍膜 質檢系統 出口腔 卸片區 腔室 卸片 進口 出口 傳送 檢測 | ||
1.單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：包括依次連接的上片區、進口腔室、進口緩沖腔室、進口傳送腔室、濺射腔室、出口傳送腔室、出口緩沖腔室、出口腔室、質檢腔室和卸片區，所述上片區、進口腔室、進口緩沖腔室、進口傳送腔室、濺射腔室、出口傳送腔室、出口緩沖腔室、出口腔室和卸片區內均設有依次連接的傳動臺，所述質檢腔室內設有鍍膜質檢臺和質檢系統，所述出口腔室內傳動臺與鍍膜質檢臺相連，所述傳動臺用于傳送真空鍍膜基片，所述鍍膜質檢臺用于檢測基片質量，所述鍍膜質檢臺包括至少一真空鍍膜基片架(11)、一軌道和傳動機構(13)，每個所述真空鍍膜基片架(11)均在其對應軌道上往返滑動，所述傳動機構(13)與真空鍍膜基片架(11)連接并為其提供動力，所述真空鍍膜基片架(11)上安裝有若干基片孔(12)，真空鍍膜基片安裝于基片孔(12)內。
2.根據權利要求1所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述質檢系統包括光源和順次連接的光電探測器、濾波器和A/D轉換器，所述光源與光電探測器分設于軌道兩側，所述光源發出的光透過真空真空鍍膜基片被光電探測器接收，經濾波后通過A/D轉換器轉換為檢測信號。
3.根據權利要求2所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述質檢系統還包括順次連接的掃描透射光譜測量探頭、掃描反射光譜測量探頭和面電阻測量探頭，所述測量探頭均安裝于鍍膜質檢臺上方，基片通過鍍膜質檢臺傳送至卸片區的過程中，所述測量探頭進行工作，測量基片的透射光譜、透射顏色、基片膜面和非鍍膜面的反射光譜和反射顏色，測量基片膜層的面電阻值。
4.根據權利要求3所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述質檢系統還包括服務器，所述服務器與A/D轉換器和測量探頭相連，用于將采集的數據進行分析和對比。
5.根據權利要求4所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述質檢系統還包括回收裝置，所述服務器與回收裝置相連，所述回收裝置在收到服務器發送的收取不合格基片的命令時，將鎖定的基片回收。
6.根據權利要求1所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述濺射腔室內設有至少一個旋轉陰極。
7.根據權利要求6所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述濺射腔室內設有五對旋轉陰極，三個平面陰極，鍍膜產品膜層為SnO2/Si3N4/NiCr/Ag/NiCr/Si3N4。
8.根據權利要求6所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述濺射腔室內設有七對旋轉陰極，三個平面陰極，鍍膜產品膜層為SnO2/Si3N4/NiCr/Ag/NiCr/Si3N4。
9.根據權利要求6所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述濺射腔室內設有八對旋轉陰極，三個平面陰極，鍍膜產品膜層為Si3N4/AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO/Si3N4。
10.根據權利要求6所述的單銀LOW-E玻璃鍍膜生產線，其特征在于：所述濺射腔室內設有十二個旋轉陰極，三個平面陰極，鍍膜產品膜層為SnO2/SiO2/TiO2/NiCr/Ag/NiCr/TiO2/SiO2/SnO2/TiO2。
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