提供一種減壓處理裝置，防止在對腔室內進行減壓時產生結露，并且縮短減壓時間。在減壓狀態下對晶片(W)進行處理的減壓處理裝置(1)構成為具有：腔室(10)，其具有對室內進行減壓的減壓單元(50)；開閉門(17)，其將供晶片相對于減壓室搬入和搬出的搬入搬出口(12)打開或關閉；以及惰性氣體提供源(37)，其向腔室內提供惰性氣體，在開閉門被打開的狀態下持續提供惰性氣體而將腔室內維持為干燥狀態。

技術領域

本發明涉及減壓處理裝置，在對晶片進行處理時使減壓室內減壓。

背景技術

在進行了磨削裝置的磨削后的晶片的被磨削面上殘存有磨削痕，該磨削痕成為晶片的抗折強度降低的原因。因此，提出了通過等離子蝕刻將磨削痕從晶片的被磨削面去除的裝置(例如，參照專利文獻1)。等離子蝕刻裝置在將晶片從外部經由開閉門搬入到腔室(減壓室)內并對腔室內進行了減壓的狀態下提供蝕刻氣體。然后，使等離子化的蝕刻氣體與晶片進行反應而將磨削痕從被磨削面去除，抑制磨削完的晶片的因磨削痕而引起的抗折強度降低。

專利文獻1：日本特開2001-358097號公報

另外，搬入到腔室內的晶片被載置在靜電卡盤(保持工作臺)上，被靜電卡盤保持而進行等離子蝕刻。由于晶片因等離子蝕刻而溫度變高，所以對靜電卡盤提供冷卻水而將晶片冷卻。雖然在等離子蝕刻結束之后為了晶片的搬入和搬出而對腔室進行大氣開放，但外部空氣進入到腔室內而使濕度上升。當外部空氣所含有的水分因冷卻后的靜電卡盤而變涼時，會在靜電卡盤的正面上產生結露而無法得到針對晶片的充分的吸附力。進而，當腔室內的濕度上升時水與水蒸氣的體積比會變成1700倍，因此成為對腔室內進行減壓時的障礙而使得減壓時間變長。

發明內容

本發明是鑒于該點而完成的，其目的之一在于，提供減壓處理裝置，能夠防止結露的產生并且能夠縮短減壓時間。

根據本發明，提供減壓處理裝置，在減壓狀態下對晶片進行處理，其中，該減壓處理裝置具有：保持工作臺，其對晶片進行保持；減壓室，其配設有該保持工作臺；開閉門，其將供晶片相對于該減壓室搬入和搬出的搬入搬出口打開或關閉；以及惰性氣體提供單元，其向該減壓室提供惰性氣體，通過該惰性氣體提供單元向該減壓室內提供惰性氣體，使該減壓室與外部空氣相比成為正壓，打開該開閉門，并通過該惰性氣體提供單元向該減壓室內持續提供惰性氣體直到該開閉門關閉，從而將該減壓室內維持為干燥狀態。

根據該結構，由于減壓室內因惰性氣體而呈正壓，所以通過將開閉門打開而從減壓室內經由搬入搬出口向外部排出惰性氣體。此時，由于向減壓室內持續提供惰性氣體，所以惰性氣體從搬入搬出口持續排出。因此，外部空氣不會從搬入搬出口逆著惰性氣體的流動而進入到減壓室內，減壓室內被惰性氣體維持為干燥狀態。由于在進行晶片相對于減壓室內的搬入和搬出時減壓室內的濕度不會因外部空氣而上升，所以能夠防止在保持工作臺上產生結露。并且，能夠抑制作為減壓的障礙的濕氣的影響，縮短減壓時間。

根據本發明，由于一邊向減壓室內持續提供惰性氣體一邊使開閉門打開，所以外部空氣不會從搬入搬出口進入到減壓室內。減壓室內被惰性氣體維持為干燥狀態。因此，能夠防止結露的產生，并且能夠縮短減壓時間。

附圖說明

圖1是本實施方式的蝕刻裝置的整體示意圖。

圖2的(A)和(B)是本實施方式的晶片的搬入動作的說明圖。

圖3的(A)和(B)是通過本實施方式的蝕刻裝置進行蝕刻動作的說明圖。

標號說明

1：蝕刻裝置(減壓處理裝置)；10：腔室(減壓室)；12：搬入搬出口；17：開閉門；20：下部電極組件；22：保持工作臺；30：上部電極組件；36：反應氣體提供源；37：惰性氣體提供源(惰性氣體提供單元)；50：減壓單元；60：控制單元；W：晶片。

具體實施方式