[發明專利]減壓處理裝置在審
| 申請號： | 201711088584.2 | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN108091593A | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發明（設計）人： | 飯田英一 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帥;喬婉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減壓處理裝置 惰性氣體 減壓 室內 開閉門 搬入 晶片 持續提供 干燥狀態 減壓單元 減壓狀態 搬出口 減壓室 搬出 結露 腔室 | ||
【權利要求書】：
1.一種減壓處理裝置，其在減壓狀態下對晶片進行處理，其中，
該減壓處理裝置具有：
保持工作臺，其對晶片進行保持；
減壓室，其配設有該保持工作臺；
開閉門，其將供晶片相對于該減壓室搬入和搬出的搬入搬出口打開或關閉；以及
惰性氣體提供單元，其向該減壓室提供惰性氣體，
通過該惰性氣體提供單元向該減壓室內提供惰性氣體，使該減壓室與外部空氣相比成為正壓，打開該開閉門，并通過該惰性氣體提供單元向該減壓室內持續提供惰性氣體直到該開閉門關閉，從而將該減壓室內維持為干燥狀態。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
