本發明公開了一種低功耗高精度的復位閾值電平可變的上電復位電路，包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一三極管、第二三極管、第三三極管和第一復位輸出端，其中第一電阻、第二電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一三極管、第二三極管和第三三極管構成類帶隙基準結構，通過加入第三電阻后，可調節第一電阻與第三電阻的比值，實現復位閾值電平的改變，另外，可通過調節第一電阻、第二電阻和第三電阻、第一三極管、第二三極管、第三三極管之間的比值關系實現溫度補償，以保證復位閾值電平的高精度。本發明電路結構簡單、占用面積小、功耗低，復位閾值電平可變且精度高，可滿足SOC要求。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，特別涉及一種低功耗高精度的復位閾值電平可變的上電復位電路。

背景技術

隨著集成電路技術的發展，片上系統(System-On-Chip，簡稱SOC)已經獲得了廣泛的應用，如今，低功耗、面積小已經成為SOC的發展需求。作為SOC的重要組成部分，上電復位電路在電源電壓上升到某一復位閾值電平后為整個系統提供內部復位信號，以保證整個系統正常工作。

如圖1a所示，傳統的上電復位電路常利用電阻R和電容C組成的RC(阻容)電路構成復位電路，其中非門電路A1、A2用于整形以提高電路抗干擾能力，在上電過程中，隨著電源VDD的電壓值上升，輸出端Vo將輸出一個由低到高的復位信號，該電路的優點是結構簡單且靜態功耗低，缺點則是復位閾值電平隨PVT變化，并且在慢上電中可能因為復位電平過低而無法正確產生復位信號。如圖1b所示，分壓電阻對電源VDD的電壓分壓后作為比較器的一端輸入，帶隙基準電壓電路則提供參考電平作為比較器另一端的輸入，在上電過程中，隨著電源VDD電壓值的上升，比較器根據兩輸入端電壓大小的比較在輸出端Vo產生復位信號，帶隙基準電壓電路所提供的參考電平精度高，故該復位電路的優點在于其復位閾值電平基本不隨PVT變化，缺點則在于功耗和面積都比較大，無法滿足SOC的發展需求。

發明內容

針對上述現有技術所存在的缺陷，本發明的目的是提供一種低功耗高精度的復位閾值電平可變的上電復位電路，以滿足SOC發展的需求。

本發明通過下述技術方案來解決上述技術問題：

本發明提供一種復位閾值電平可變的上電復位電路，其特點是，包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一三極管、第二三極管、第三三極管和第一復位輸出端；

所述第一電阻的一端分別與所述第一PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極、電源正極連接，所述第一電阻的另一端分別與所述第二電阻的一端、所述第三電阻的一端、所述第二三極管的基極連接，所述第二電阻的另一端分別與所述第一三極管的基極、所述第三三極管的集電極、所述第三三極管的基極連接，所述第三電阻的另一端與電源負極連接，所述第一PMOS管的柵極分別與所述第一PMOS管的漏極、所述第二PMOS管的柵極、所述第一三極管的集電極連接，所述第二PMOS管的漏極分別與所述第二三極管的集電極、所述第一復位輸出端連接，所述第四電阻的一端分別與所述第一三極管的發射極、所述第二三極管的發射極連接，所述第四電阻的另一端與電源負極連接。