技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種重復(fù)性缺陷的篩 選方法。

背景技術(shù)

隨著超大規(guī)模集成電路ULSI(Ultra Large Scale Integration)的飛速發(fā)展， 集成電路工藝制作工藝變得越來越復(fù)雜和精細(xì)，這就要求以更高的精度和更好 的均勻性形成半導(dǎo)體器件，而在實際集成電路生產(chǎn)過程，由于工藝和設(shè)備等不 同因素的影響，往往在襯底表面會形成不可預(yù)期的缺陷，例如，顆粒缺陷，最 終導(dǎo)致產(chǎn)品良率的降低，因此，在集成電路生產(chǎn)中半導(dǎo)體襯底的缺陷檢測也變 得至關(guān)重要。

在半導(dǎo)體制造過程中，在晶圓上一些晶粒上出現(xiàn)低良率問題，這些低良率 問題是有規(guī)律的，被稱為“重復(fù)性缺陷”，且目前能夠確定這些重復(fù)性缺陷是晶 圓制造過程中的光罩引起的。因此，需要對重復(fù)性缺陷進(jìn)行檢測。目前，對缺 陷掃描所得到的缺陷位置分布圖作重復(fù)性缺陷篩選是缺陷檢測中判斷光罩引入 缺陷的重要手段和依據(jù)。該方法通過比對缺陷位置分布圖上的缺陷是否存在以 光罩為單元的重復(fù)性從而篩選出光罩異常導(dǎo)致的缺陷，再通過掃描電鏡復(fù)檢獲 取圖像，最后根據(jù)篩選出的缺陷圖像數(shù)據(jù)分析缺陷情況。

在生產(chǎn)過程中，如果掩模版缺陷檢測機(jī)發(fā)現(xiàn)光罩上存在缺陷風(fēng)險，除了對 光罩進(jìn)行缺陷掃描外，通常還會再在晶圓上確認(rèn)實際曝光的缺陷情況。為了能 夠檢測出晶圓上實際的光阻圖形缺陷情況，需要采用比較嚴(yán)格的掃描條件來檢 測晶圓上的缺陷，而嚴(yán)格的掃描條件在能夠掃描出潛在的重復(fù)性缺陷的同時， 還會引入很多Nuisance(非真實缺陷的缺陷掃描結(jié)果)，其中包括機(jī)臺掃描本身 引入的噪聲、特定工藝層引入的缺陷和特定圖形引入的噪聲等。通過以光罩為 單元做重復(fù)性缺陷計算并篩選可以得到包含潛在光罩引入缺陷的缺陷合集，由 于該缺陷合集還包括上述Nuisance，通常篩選后的合集中缺陷數(shù)目遠(yuǎn)高于實際 水平。要發(fā)現(xiàn)包含于晶圓中光罩引入缺陷不但會耗費大量的檢測機(jī)臺產(chǎn)能而且 存在隨機(jī)檢測帶來的漏檢風(fēng)險，從而對光罩上可能存在的缺陷評估造成影響， 并影響產(chǎn)品的最終良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種重復(fù)性缺陷的篩選方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中重復(fù) 性缺陷檢測效率低、漏檢的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種重復(fù)性缺陷的篩選方法，包括：

獲取晶圓的缺陷分布數(shù)據(jù)；

以晶粒為重復(fù)單元，計算出缺陷的第一重復(fù)性合集及其在晶粒中的坐標(biāo)；

以光罩為重復(fù)單元，計算出缺陷的第二重復(fù)性合集，并計算第二重復(fù)性合 集中各缺陷對應(yīng)于以晶粒為重復(fù)單元的坐標(biāo)；

匹配第二重復(fù)性合集中各缺陷以晶粒重復(fù)單元的坐標(biāo)與第一重復(fù)性合集中 各缺陷的坐標(biāo)，計算坐標(biāo)相同的缺陷在各自重復(fù)性合集中重復(fù)的次數(shù)，并計算 兩次數(shù)的差值與第二重復(fù)性合集中次數(shù)的比值k；

如果k等于零或小于設(shè)定閾值k₀，則確認(rèn)該缺陷為重復(fù)性缺陷。

可選的，所述第一重復(fù)性合集包括缺陷的編號、缺陷在晶粒中的坐標(biāo)及重 復(fù)的次數(shù)。

可選的，所述第二重復(fù)性合集包括缺陷的編號、缺陷在光罩中的坐標(biāo)及重 復(fù)的次數(shù)。

可選的，所述缺陷分布數(shù)據(jù)包括缺陷的編號、缺陷在晶圓中的坐標(biāo)、晶粒 的單元尺寸、光罩的規(guī)格。

可選的，通過一缺陷檢測設(shè)備獲取所述晶圓上所有缺陷的位置，通過所述 缺陷檢測設(shè)備將所述缺陷坐標(biāo)進(jìn)行存儲。

可選的，獲取晶圓缺陷的位置的步驟包括：

通過所述缺陷檢測設(shè)備對晶圓進(jìn)行檢測，以獲取晶圓上每個晶粒的檢測數(shù) 據(jù)；

將晶圓上的每個晶粒的檢測數(shù)據(jù)與之前相鄰的一個晶粒的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行比 較，獲得若干第一差異位置；

將晶圓上的每個晶粒的檢測數(shù)據(jù)與之后相鄰的一個晶粒的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行比 較，獲得若干第二差異位置；

若晶粒所對應(yīng)的第一差異位置與其對應(yīng)的所述第二差異位置相同，則將該 第一差異位置或第二差異位置設(shè)置為該晶粒上缺陷的位置。

可選的，所述光罩的規(guī)格為1mm×1mm。

可選的，k₀為大于0小于1之間的數(shù)。

可選的，k₀為0.01～0.05之間的數(shù)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的重復(fù)性缺陷的篩選方法具有以下有益效果：