[發明專利]重復性缺陷的篩選方法有效
| 申請號： | 201710987031.4 | 申請日： | 2017-10-20 |
| 公開（公告）號： | CN107768267B | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 陳超;郭賢權;許向輝;陳昊瑜 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 重復性 缺陷 篩選 方法 | ||
1.一種重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，包括：
獲取晶圓的缺陷分布數據；
以晶粒為重復單元，計算出缺陷的第一重復性合集及其在晶粒中的坐標；
以光罩為重復單元，計算出缺陷的第二重復性合集，并計算第二重復性合集中各缺陷對應于以晶粒為重復單元的坐標；
匹配第二重復性合集中各缺陷以晶粒重復單元的坐標與第一重復性合集中各缺陷的坐標，計算坐標相同的缺陷在各自重復性合集中重復的次數，并計算兩次數的差值與第二重復性合集中次數的比值k；
如果k等于零或小于設定閾值k0，則確認該缺陷為重復性缺陷。
2.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，所述第一重復性合集包括缺陷的編號、缺陷在晶粒中的坐標及重復的次數。
3.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，所述第二重復性合集包括缺陷的編號、缺陷在光罩中的坐標及重復的次數。
4.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，所述缺陷分布數據包括缺陷的編號、缺陷在晶圓中的坐標、晶粒的單元尺寸、光罩的規格。
5.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，通過一缺陷檢測設備獲取所述晶圓上所有缺陷的位置，通過所述缺陷檢測設備將所述缺陷坐標進行存儲。
6.如權利要求5所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，獲取晶圓缺陷的位置的步驟包括：
通過所述缺陷檢測設備對晶圓進行檢測，以獲取晶圓上每個晶粒的檢測數據；
將晶圓上的每個晶粒的檢測數據與之前相鄰的一個晶粒的檢測數據進行比較，獲得若干第一差異位置；
將晶圓上的每個晶粒的檢測數據與之后相鄰的一個晶粒的檢測數據進行比較，獲得若干第二差異位置；
若晶粒所對應的第一差異位置與其對應的所述第二差異位置相同，則將該第一差異位置或第二差異位置設置為該晶粒上缺陷的位置。
7.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，所述光罩的規格為1mm×1mm。
8.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，k0為大于0小于1之間的數。
9.如權利要求1所述的重復性缺陷的篩選方法，其特征在于，k0為0.01～0.05之間的數。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
