本發明公開了一種非揮發性內存及程序化內存數組的方法。非揮發性內存具有魚鰭結構及反熔絲結構。反熔絲結構形成在魚鰭結構上并有共享柵極、單擴散間斷隔離結構、第一源極/漏極區及第二源極/漏極區。單擴散間斷隔離結構隔離第一源極/漏極區與第二源極/漏極區。非揮發性內存的第一鰭式場效晶體管、第二鰭式場效晶體管與第一反熔絲組件構成第一單次可程序化內存胞。非揮發性內存的第三鰭式場效晶體管、第四鰭式場效晶體管與第二反熔絲組件構成第二單次可程序化內存胞。第一單次可程序化內存胞與第二單次可程序化內存胞共享反熔絲結構。

技術領域

本發明涉及一種非揮發性內存(non-volatile memory；NVM)，特別是涉及一種具有單次可程序化(one-time programmable；OTP)內存胞(memory cell)的非揮發性內存。

背景技術

為本領域具有通常知識者所知道的，非揮發性內存其所儲存的數據可在供電中斷后仍繼續地保存著。一般來說，當非揮發性內存出廠后，用戶可對其進行程序化，已將數據記錄至非揮發性內存。

根據非揮發性內存可被程序化的次數限制，非揮發性內存可被分類成多次可程序化(multi-time programmable；MTP)內存、單次可程序化(one-time programmable；OTP)內存及屏蔽式只讀內存(mask read only memory；Mask ROM)。一般來說，多次可程序化(MTP)內存可被程序化許多次，且其所儲存的數據可被修改多次。相對地，一旦單次可程序化(OTP)內存完成了程序化，則其所儲存的數據不可再被修改。此外，當屏蔽式只讀內存出廠后，其所儲存的數據已經被記錄在其中。只用者只能從屏蔽式只讀內存讀取其儲存的數據，而無法對屏蔽式只讀內存進行程序化。

此外，單次可程序化內存可因其特性而被分類成兩種型式：可熔絲類型(fuse-type)的單次可程序化內存以及反熔絲類型(antifuse-type)的單次可程序化內存。

在可熔絲類型的單次可程序化內存被程序化之前，其處在一個低電阻的狀態；而當可熔絲類型的單次可程序化內存被程序化之后，其處在一個高電阻的狀態。另外一方面，在反熔絲類型的單次可程序化內存被程序化之前，其處在一個高電阻的狀態；而當可熔絲類型的單次可程序化內存被程序化之后，其處在一個低電阻的狀態。

一般來說，單次可程序化內存包括有復數個單次可程序化內存胞，而淺溝隔離(Shallow Trench Isolation；STI)結構可被用來隔離兩個相鄰的單次可程序化內存胞。然而，單次可程序化內存可能包括太多的淺溝隔離結構，以致占用了單次可程序化內存過多的布線面積，而使得單次可程序化內存胞可用的有效布線面積可能因而變小。

發明內容

本發明一實施例提供了一種非揮發性內存。非揮發性內存包括魚鰭結構(finstructure)、第一鰭式場效晶體管(Fin Field Effect Transistor；FinFET)、第二鰭式場效晶體管、反熔絲(antifuse)結構、第三鰭式場效晶體管以及第四鰭式場效晶體管。第一鰭式場效晶體管形成在魚鰭結構上，并具有第一柵極、第一源極區及第一漏極區。第二鰭式場效晶體管形成在魚鰭結構上，并具有第二柵極、第二漏極區及第二源極區，而第二源極區耦接于第一漏極區。反熔絲結構形成在魚鰭結構上，并具有共享柵極、單擴散間斷(SingleDiffusion Break；SDB)隔離結構、第一源極/漏極區以及第二源極/漏極區。其中單擴散間斷隔離結構形成于第一源極/漏極區與第二源極/漏極區之間，且單擴散間斷隔離結構的上表面被共享柵極所覆蓋。第一源極/漏極區耦接于第二漏極區。第三鰭式場效晶體管形成在魚鰭結構上，并具有第三柵極、第三源極區以及第三漏極區耦，而第三漏極區耦接于第二源極/漏極區。第四鰭式場效晶體管形成在魚鰭結構上，并具有第四柵極、第四源極區以及第四漏極區，而第四漏極區耦接于第三源極區。

附圖說明

圖1是本發明第一實施例的非揮發性內存的等效電路圖。