[發明專利]非揮發性內存及程序化內存數組的方法有效
| 申請號： | 201710932265.9 | 申請日： | 2017-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN108932965B | 公開（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發明（設計）人： | 吳孟益;陳信銘 | 申請（專利權）人： | 力旺電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;G11C17/18;H01L27/112 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 揮發性 內存 程序化 數組 方法 | ||
1.一種非揮發性內存，其特征在于，該非揮發性內存包括：
魚鰭結構；
第一鰭式場效晶體管，形成在該魚鰭結構上，并具有一第一柵極、一第一源極區及一第一漏極區；
第二鰭式場效晶體管，形成在該魚鰭結構上，并具有一第二柵極、一第二漏極區及一第二源極區，而該第二源極區耦接于該第一漏極區；
反熔絲結構，形成在該魚鰭結構上，并具有一共享柵極、一單擴散間斷隔離結構、一第一源極/漏極區以及一第二源極/漏極區，其中該單擴散間斷隔離結構形成于該魚鰭結構上以及該第一源極/漏極區與該第二源極/漏極區之間，該單擴散間斷隔離結構的一上表面被該共享柵極所覆蓋，而該第一源極/漏極區耦接于該第二漏極區；
第三鰭式場效晶體管，形成在該魚鰭結構上，并具有一第三柵極、一第三源極區以及一第三漏極區耦，而該第三漏極區耦接于該第二源極/漏極區；以及
第四鰭式場效晶體管，形成在該魚鰭結構上，并具有一第四柵極、一第四源極區以及一第四漏極區，而該第四漏極區耦接于該第三源極區。
2.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該反熔絲結構形成一第一反熔絲組件及一第二反熔絲組件。
3.如權利要求2所述的非揮發性內存，其特征在于，該第一鰭式場效晶體管、該第二鰭式場效晶體管與該第一反熔絲組件構成一第一單次可程序化內存胞，而該第三鰭式場效晶體管、該第四鰭式場效晶體管與該第二反熔絲組件構成一第二單次可程序化內存胞。
4.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該單擴散間斷隔離結構將該第一源極/漏極區與該第二源極/漏極區隔離。
5.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該第一鰭式場效晶體管更包括：
一第一源極/漏極延伸區，耦接于該第一源極區，并部分地被該第一柵極所覆蓋；以及
一第二源極/漏極延伸區，耦接于該第一漏極區，并部分地被該第一柵極所覆蓋；
該反熔絲結構更包括：
一第五源極/漏極延伸區，耦接于該第一源極/漏極區，并部分地被該共享柵極所覆蓋；以及
一第六源極/漏極延伸區，耦接于該第二源極/漏極區，并部分地被該共享柵極所覆蓋；以及
該第四鰭式場效晶體管更包括：
一第九源極/漏極延伸區，耦接于該第四漏極區，并部分地被該第四柵極所覆蓋；以及
一第十源極/漏極延伸區，耦接于該第四源極區，并部分地被該第四柵極所覆蓋。
6.如權利要求5所述的非揮發性內存，其特征在于，該第二鰭式場效晶體管更包括：
一第三源極/漏極延伸區，耦接于該第二源極區，并部分地被該第二柵極所覆蓋；以及
一第四源極/漏極延伸區，耦接于該第二漏極區，并部分地被該第二柵極所覆蓋；以及
其中該第三鰭式場效晶體管更包括：
一第七源極/漏極延伸區，耦接于該第三漏極區，并部分地被該第三柵極所覆蓋；以及
一第八源極/漏極延伸區，耦接于該第三源極區，并部分地被該第三柵極所覆蓋。
7.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該第二柵極耦接于該第三柵極。
8.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該第一源極區耦接于該第四源極區。
9.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該第一柵極耦接于該第四柵極。
10.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該魚鰭結構是形成于硅基板的一個P井區，而所有的源極區、所有的漏極區以及所有的源極/漏極區是通過外延式硅化磷工藝或碳化硅工藝形成。
11.如權利要求1所述的非揮發性內存，其特征在于，該單擴散間斷隔離結構是由氧化硅所組成。
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