本公開涉及連接條電連接集成電路的分開的電路區(qū)。連接條由主部形成，該主部是在待互連的分開的電路區(qū)上方延伸的導電條帶。導體條帶通過除了位于待互連的電路區(qū)處之外的電介質(zhì)與集成電路分開。連接條還包括作為從電路區(qū)到導電條帶的垂直方向上穿過電介質(zhì)的導電焊盤的次部。

本申請要求于2017年1月23日提交的法國專利申請第1750540號的優(yōu)先權，其公開內(nèi)容通過整體引用而并入法律允許的最大范圍。

技術領域

本申請涉及集成電路領域，更具體地，涉及生產(chǎn)在集成電路的元件之間(例如在形成于薄絕緣體上硅(SOI)層中的多個晶體管的源極之間)形成電連接的連接條。

背景技術

SOI晶體管是體硅晶體管的替代品。SOI晶體管形成在通過一層絕緣體(通常是二氧化硅)與硅晶片分離的薄硅層中和上。

已經(jīng)觀察到，在許多情況下，其中連接條連接電路的多個元件的SOI集成電路包含缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

因此，一個實施例提供了一種連接條，其包括：主部，由導電條帶構(gòu)成，該導電條帶延伸到待互連的分開的區(qū)域之上，除了待互連的區(qū)域之外，導電條帶通過電介質(zhì)與任何導體分開；以及次部，由通過電介質(zhì)的第一導電焊盤形成，每個第一焊盤從一個區(qū)域垂直延伸以互連到導電條帶。

根據(jù)一個實施例，待互連的區(qū)域是集成電路的晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。

根據(jù)一個實施例，次部是類似于用于連接晶體管的漏極或源極區(qū)的第二焊盤的第一焊盤，第一焊盤具有比第二焊盤更小的高度。

根據(jù)一個實施例，導電條帶和導電焊盤由鎢制成。

一個實施例提供了用于制造連接條的工藝，其包括：a)形成在待互連的區(qū)域上方延伸的主腔，并通過電介質(zhì)與待互連的區(qū)域分開；b)形成次腔，每個次腔從待互連的區(qū)域垂直延伸到主腔；和c)用導體填充主腔和次腔。

根據(jù)一個實施例，步驟a)在步驟b)之前或之后進行。

根據(jù)一個實施例，步驟a)或步驟b)首先包括蝕刻該結(jié)構(gòu)的上絕緣體的步驟，然后包括用所述次腔的圖案蝕刻停止層的步驟。

一個實施例提供了一種包括至少一個連接條的集成電路，例如在前述實施例之一中所描述的。

在一個實施例中，一種裝置包括：集成電路，包含待互連的分開的第一電路區(qū)；以及連接條，由以下部分組成：主部，其由在所述分開的第一電路區(qū)上方延伸的導電條帶形成，導電條帶通過除了位于待互連的分開的第一電路區(qū)處之外的電介質(zhì)與集成電路分開；以及次部，由通過電介質(zhì)的第一導電焊盤形成，每個第一導電焊盤從一個第一電路區(qū)垂直延伸至導電條帶。

附圖說明

在以下對特定實施例的非限制性描述中詳細描述了這些特征和優(yōu)點以及其它特征，這些描述參考附圖給出，其中：

圖1是通過其源極連接的三個SOI晶體管的局部示意透視圖；

圖2A和圖2B是示出形成三個晶體管公共連接的步驟的截面圖；

圖3是連接條的一個實施例的部分示意性透視圖；

圖4A至圖4C是示出用于制造連接條的工藝的一個實施例的步驟的橫截面圖；和

圖5是示出用于制造連接條的工藝的另一實施例的步驟的橫截面圖。

具體實施方式

相同的元件在各圖中被相同的參考標號引用，另外，并未按比例繪制各種示圖。為了清楚起見，僅示出了對所描述的實施例的理解有用的那些元件，并且是詳細示出。

在下文的描述中，當提到諸如術語“前”、“上方”、“上”等的位置描述或諸如術語“垂直”等的定向描述時，所做的參考基于在圖中討論的元件的方位。