[發明專利]連接條有效
| 申請號： | 201710770730.3 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN108346644B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | P·波伊文;D·里斯圖伊尤 | 申請（專利權）人： | 意法半導體（克洛爾2）公司;意法半導體(魯塞)公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;張昊 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連接 | ||
1.一種集成電路裝置，包括：
集成電路，包含待互連的分開的第一電路區；
絕緣層，由單一材料構成并覆蓋所述集成電路并具有平坦的上表面；
唯一的主開口，從所述平坦的上表面延伸到所述絕緣層中，并且所述主開口具有的深度小于所述絕緣層的厚度；
多個次開口，從所述主開口的深度延伸到所述絕緣層中，以完全穿過所述絕緣層到達所述分開的第一電路區；和
唯一的連接條，所述連接條由以下部分組成：
唯一的主部，由在所述分開的第一電路區上方延伸的所述主開口中的導電條帶形成，除了在待互連的所述分開的第一電路區處，所述導電條帶通過所述絕緣層與所述集成電路分開；和
多個次部，由所述多個次開口中的第一導電焊盤形成，每個所述第一導電焊盤從一個第一電路區垂直延伸至所述導電條帶。
2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中待互連的所述分開的第一電路區是所述集成電路的晶體管的源極區或漏極區。
3.根據權利要求2所述的集成電路裝置，其中所述集成電路還包括分開的第二電路區，并且還包括用于連接至所述分開的第二電路區的第二導電焊盤，其中所述第一導電焊盤的高度小于所述第二導電焊盤的高度。
4.根據權利要求3所述的集成電路裝置，其中所述導電條帶的頂部與所述第二導電焊盤的頂部共面。
5.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述導電條帶和所述第一導電焊盤由鎢制成。
6.一種用于制造連接條的方法，包括：
a）在由單一材料構成的絕緣層中形成在待互連的電路區上方延伸的唯一的主腔，所述主腔具有的深度小于所述絕緣層的厚度，并且所述主腔通過所述絕緣層的下部與待互連的所述電路區分開；
b）在所述絕緣層中形成多個次腔，每個次腔從所述主腔的所述深度垂直延伸至所述絕緣層的所述下部中、延伸到待互連的所述電路區中的一個；以及
c）用導體材料填充所述主腔和所述次腔，以形成所述連接條。
7.根據權利要求6所述的方法，其中步驟a）在步驟b）之前進行。
8.根據權利要求6所述的方法，其中步驟a）在步驟b）之后進行。
9.根據權利要求6所述的方法，其中形成次腔的步驟b）包括：蝕刻穿過所述絕緣層的所述下部以到達位于所述電路區之上的底層蝕刻停止層的第一步驟；以及用所述次腔的圖案蝕刻所述蝕刻停止層的第二步驟。
10.一種半導體裝置，包括：
半導體襯底，包括形成多個晶體管的源極區或漏極區的分開的區域；
整體層，由覆蓋所述半導體襯底、并具有平坦上表面的單一絕緣材料制成，其中所述整體層包括：
唯一的主開口，從所述平坦上表面延伸到所述整體層中，并且所述主開口具有的深度小于所述整體層的厚度；和
多個次開口，從所述主開口的深度延伸到所述整體層中，以完全穿過所述整體層到達所述分開的區域；以及
唯一的連接條，由整體的金屬材料制成，包括：
所述整體的唯一的主部，位于所述主開口中；和
多個次部，位于所述多個次開口中、并與所述分開的區域電連接。
11.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括：
多個附加區域；以及
多個導電焊盤，用于連接至所述多個附加區域，其中所述多個次部的高度小于所述多個導電焊盤的高度。
12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述主部的頂表面與所述多個導電焊盤的頂部以及所述整體層的所述平坦上表面共面。
13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中所述整體的所述金屬材料是鎢。
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