1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體鰭片，所述多個(gè)半導(dǎo)體鰭片包括：間隔開(kāi)的第一半導(dǎo)體鰭片和第二半導(dǎo)體鰭片，所述第一半導(dǎo)體鰭片用于形成第一器件，所述第二半導(dǎo)體鰭片用于形成與所述第一器件具有不同導(dǎo)電類(lèi)型的第二器件；在每個(gè)所述半導(dǎo)體鰭片周?chē)臏喜垡约疤畛渌鰷喜鄣臏喜劢^緣物層，其中，所述溝槽絕緣物層的上表面與所述半導(dǎo)體鰭片的上表面基本齊平；

對(duì)所述第一半導(dǎo)體鰭片執(zhí)行第一抗穿通摻雜以在所述第一半導(dǎo)體鰭片中形成第一抗穿通區(qū)域；

在執(zhí)行所述第一抗穿通摻雜之后，去除所述第二半導(dǎo)體鰭片的一部分以形成凹陷，其中，所述凹陷的深度大于所述第一抗穿通摻雜的摻雜深度；以及

在所述凹陷中且在所述第二半導(dǎo)體鰭片的剩余部分上形成具有第二抗穿通區(qū)域的外延層。