一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底；形成第一區(qū)域掩膜層；形成第二應(yīng)力層；形成接觸孔刻蝕停止層；形成第一接觸孔和第二接觸孔；沿所述第一接觸孔進(jìn)行減薄處理；減薄處理之后，去除所述第一接觸孔底部的第一區(qū)域掩膜層和所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層；形成位于所述第一接觸孔內(nèi)的第一插塞和位于所述第二接觸孔內(nèi)的第二插塞。為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，通過沿所述第一接觸孔進(jìn)行減薄處理，能夠有效減少所述第二應(yīng)力層受損現(xiàn)象的出現(xiàn)，有利于降低工藝難度，有利于提高良率和改善器件性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，集成電路內(nèi)部的電路密度越來越大，所包含的元器件數(shù)量也越來越多，元器件的尺寸也隨之減小。隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的減小，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中器件的溝道隨之縮短。由于溝道縮短，緩變溝道近似不再成立，而凸顯出各種不利的物理效應(yīng)(特別是短溝道效應(yīng))，這使得器件性能和可靠性發(fā)生退化，限制了器件尺寸的進(jìn)一步縮小。

隨著電路密度的增大，晶圓表面無法提供足夠的面積來制造連接線。為了滿足元器件縮小后的互連需求，兩層及兩層以上的多層金屬間互連線的設(shè)計(jì)成為超大規(guī)模集成電路技術(shù)常采用的方法之一。不同金屬層或者金屬層與半導(dǎo)體器件之間通過插塞實(shí)現(xiàn)連接導(dǎo)通。

同時，載流子的遷移率是影響晶體管性能的主要因素之一。有效提高載流子遷移率成為了晶體管器件制造工藝的重點(diǎn)之一。由于應(yīng)力可以改變硅材料的能隙和載流子遷移率，因此通過形成應(yīng)力層來提高晶體管的性能成為越來越常用的手段。具體地，在N型晶體管中形成能提供拉應(yīng)力的應(yīng)力層以提高電子遷移率，在N型晶體管中形成能提供壓應(yīng)力的應(yīng)力層以提高空穴遷移率。

但是現(xiàn)有技術(shù)在具有應(yīng)力層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)形成插塞往往會引起應(yīng)力層損傷的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，以減少應(yīng)力層損傷問題的出現(xiàn)，提高所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和良率。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括用于形成第一類型晶體管的第一區(qū)域和用于形成第二類型晶體管的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的襯底上具有第一柵極結(jié)構(gòu)和位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底上的第一應(yīng)力層；所述第二區(qū)域的襯底上具有第二柵極結(jié)構(gòu)；形成第一區(qū)域掩膜層，所述第一區(qū)域掩膜層位于所述第一應(yīng)力層上；以所述第一區(qū)域掩膜層為掩膜，在所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上形成第二應(yīng)力層；形成接觸孔刻蝕停止層，位于所述第一區(qū)域掩膜層和所述第二應(yīng)力層上；形成位于所述第一應(yīng)力層上的第一接觸孔和位于所述第二應(yīng)力層上的第二接觸孔，所述第一接觸孔底部露出所述第一應(yīng)力層上的接觸孔刻蝕停止層，所述第二接觸孔露出所述第二應(yīng)力層上的接觸孔刻蝕停止層；沿所述第一接觸孔進(jìn)行減薄處理，至少去除所述第一應(yīng)力層上部分厚度的接觸孔刻蝕停止層；減薄處理之后，去除所述第一接觸孔底部的第一區(qū)域掩膜層和所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層，露出所述第一應(yīng)力層和所述第二應(yīng)力層；形成位于所述第一接觸孔內(nèi)的第一插塞和位于所述第二接觸孔內(nèi)的第二插塞。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底，所述襯底包括用于形成第一類型晶體管的第一區(qū)域和用于形成第二類型晶體管的第二區(qū)域；第一柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第一區(qū)域的襯底上；第二柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第二區(qū)域的襯底上；第一應(yīng)力層，位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上；第二應(yīng)力層，位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底上；第一區(qū)域掩膜層，至少位于所述第一應(yīng)力層上；接觸孔刻蝕停止層，位于至少部分所述第一區(qū)域掩膜層和所述第二應(yīng)力層上；層間介質(zhì)層，填充于第一應(yīng)力層和所述第二應(yīng)力層上；第一接觸孔，貫穿所述第一應(yīng)力層上的所述層間介質(zhì)層，所述第一接觸孔底部接觸孔刻蝕停止層的厚度小于所述層間介質(zhì)層和所述第一應(yīng)力層之間接觸孔刻蝕停止層的厚度；第二接觸孔，貫穿所述第二應(yīng)力層上的所述層間介質(zhì)層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：