[發明專利]半導體結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201710726817.0 | 申請日： | 2017-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN109427675B | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 周飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括用于形成第一類型晶體管的第一區域和用于形成第二類型晶體管的第二區域，所述第一區域的襯底上具有第一柵極結構和位于所述第一柵極結構兩側襯底上的第一應力層；所述第二區域的襯底上具有第二柵極結構；
形成第一區域掩膜層，所述第一區域掩膜層位于所述第一應力層上；
以所述第一區域掩膜層為掩膜，在所述第二柵極結構兩側的襯底上形成第二應力層；
形成接觸孔刻蝕停止層，位于所述第一區域掩膜層和所述第二應力層上；
形成位于所述第一應力層上的第一接觸孔和位于所述第二應力層上的第二接觸孔，所述第一接觸孔底部露出所述第一應力層上的接觸孔刻蝕停止層，所述第二接觸孔露出所述第二應力層上的接觸孔刻蝕停止層；
沿所述第一接觸孔進行減薄處理，至少去除所述第一應力層上部分厚度的接觸孔刻蝕停止層；
所述減薄處理之后，所述第一接觸孔底部第一應力層上剩余接觸孔刻蝕停止層和所述第一區域掩膜層的厚度之和與所述第二接觸孔底部第二應力層上接觸孔刻蝕停止層的厚度相當；
減薄處理之后，去除所述第一接觸孔底部的第一區域掩膜層和所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層，露出所述第一應力層和所述第二應力層；
形成位于所述第一接觸孔內的第一插塞和位于所述第二接觸孔內的第二插塞。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，沿所述第一接觸孔進行減薄處理的步驟包括：
在所述第二區域的襯底上形成保護層；
以所述保護層為掩膜，進行所述減薄處理；
減薄處理之后，去除所述保護層，露出所述第二接觸孔底部的接觸孔刻蝕停止層。
3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述保護層填充滿所述第二接觸孔。
4.如權利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，所述保護層為光刻膠層、有機介電層和底部抗反射層中的一種或多種。
5.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，通過旋涂的方式形成所述保護層。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕的方式進行所述減薄處理。
7.如權利要求1或6所述的形成方法，其特征在于，所述第一區域掩膜層和所述接觸孔刻蝕停止層中的一個或兩個的材料為氮化硅。
8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理的工藝參數包括：刻蝕氣體包括：CH2F2、O2以及CF4；刻蝕氣體流量分別為：CH2F2：8sccm到50sccm范圍內；O2：2sccm到30sccm范圍內；CF4：30sccm到200sccm范圍內；射頻功率：100W到1000W范圍內，電壓：30V到500V范圍內；刻蝕時間：4s到500s范圍內；氣壓：10mtorr到2000mtorr。
9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理的刻蝕量在到范圍內。
10.如權利要求1或9所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理去除所述第一應力層上所述第一接觸孔露出的接觸孔刻蝕停止層。
11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述減薄處理還去除部分厚度的所述第一區域掩膜層。
12.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，通過干法刻蝕的方式去除所述保護層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
