[發(fā)明專利]吸附裝置及吸附方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710725276.X | 申請日: | 2017-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN109427640B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱海彬 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸附 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種吸附裝置,包括:載臺,所述載臺包括至少2個吸附區(qū)域,每個吸附區(qū)域包括至少一個吸附通道,其中,所述吸附裝置還包括與所述吸附區(qū)域對應的控制結構,所述控制結構用于控制所述吸附通道關閉和打開。本發(fā)明還涉及一種吸附方法。本發(fā)明的有益效果是:根據(jù)載臺上的吸附區(qū)域是否被待吸附產品覆蓋而控制相應的吸附通道的打開或關閉,使得待吸附產品緊密吸附于載臺上,提高產品良率。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示產品制作技術領域,尤其涉及一種吸附裝置及吸附方法。
背景技術
在光電產品制造過程中,通常需要將基板或柔性膜等產品固定在某一載臺上,以便于后續(xù)加工工藝,如在顯示領域里將基板或柔性膜材等固定在吸附載臺上進行激光切割工藝、或是印刷電路板的制造工藝中也需要將其固定于載臺上才可進行后續(xù)加工工藝。目前,通過在載臺上設置吸附孔并通過吸附孔向下的抽吸力將樣品固定在載臺上是較為常見的裝置,然而,在實際應用中由于樣品尺寸大小不一樣,有的樣品尺寸較大可將所有吸附孔覆蓋住,有的樣品尺寸較小僅能覆蓋少部分吸附孔,由此造成樣品之外區(qū)域的吸附孔處于暴露狀態(tài)產生漏氣,載臺難以達到一定的真空度而無法吸附樣品,造成后續(xù)工藝不良。如柔性有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)制造中所涉及到的激光切割工藝,若柔性基板或膜材無法緊密吸附在載臺上會發(fā)生翹曲而脫離激光切割焦點,造成切割不良,降低產品良率;印刷電路板制造工藝中,若其未被充分吸附于載臺上會導致印刷電路板在工藝中產生破裂、損壞或無法對準的問題,造成工藝良率下降。因此,如何使吸附載臺依據(jù)被吸附產品的大小而調節(jié)吸附區(qū)域是當前急需解決的問題。
現(xiàn)有技術中的設備結構復雜,且難以實現(xiàn)依據(jù)樣品大小自動化調節(jié)吸附面積,也無法適應不同形狀樣品的吸附。
發(fā)明內容
為了解決上述技術問題,本發(fā)明提供一種吸附裝置及吸附方法,解決待吸附產品面積小于吸附載臺的面積,造成吸附不良的問題。
為了達到上述目的,本發(fā)明采用的技術方案是:一種吸附裝置,包括:
載臺,所述載臺包括至少2個吸附區(qū)域,每個吸附區(qū)域包括至少一個吸附通道,其中,所述吸附裝置還包括與所述吸附區(qū)域對應的控制結構,所述控制結構用于控制所述吸附通道關閉和打開。
進一步的,所述控制結構包括:
氣流通道,所述氣流通道的吸氣端與至少一個所述吸附通道連通,氣流通道的抽氣端與抽氣泵連通;
開關單元,設置于所述氣流通道上,用于控制所述氣流通道的開閉。
進一步的,所述開關單元包括:
分支通道,所述分支通道的第一端與所述氣流通道連通;
封堵件,可移動的設置于所述氣流通道與所述分支通道內,在第一狀態(tài)時,所述封堵件位于所述氣流通道內以關閉所述氣流通道,在第二狀態(tài)時,所述封堵件位于所述分支通道內,所述氣流通道打開。
進一步的,所述開關單元還包括控制件,用于控制所述封堵件在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換。
進一步的,所述分支通道上與所述第一端相對設置的第二端設置有彈性件,所述彈性件的一端固定于所述分支通道內,所述彈性件的另一端固定于所述封堵件上,在所述第二狀態(tài)下,所述封堵件位于所述分支通道的第一端的端口處。
進一步的,所述彈性件為彈簧。
進一步的,所述封堵件為封堵球,在所述第二狀態(tài)下,所述封堵球位于所述分支通道的所述第一端。
進一步的,所述封堵球的直徑不小于所述氣流通道的內徑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





