1.一種互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該互連結(jié)構(gòu)包括：

一第一介電層，其包括一開口；

一導(dǎo)電柱塞，位于該第一介電層的該開口內(nèi)；以及

一空氣間隙，其位于該第一介電層中的該開口內(nèi)在該導(dǎo)電柱塞與該第一介電層中的該開口之間的一位置處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該互連結(jié)構(gòu)還包括：

一第二介電層，其位于該第一介電層上，該第二介電層覆蓋該開口以封閉該空氣間隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該空氣間隙具有與從該開口的一部分移除的一犧牲間隔件的一尺寸相等的至少一尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該空氣間隙具有與從該開口的一部分移除的一犧牲間隔件的一厚度相等的一厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該空隙間隙的該位置在該導(dǎo)電柱塞的一側(cè)壁以及與該第一介電層中的該開口接壤的該第一介電層的一側(cè)壁之間，且該第一介電層的該側(cè)壁通過該空氣間隙與該導(dǎo)電柱塞的該側(cè)壁分開。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電柱塞的該側(cè)壁為與該第一介電層的該側(cè)壁的距離最近的一外部側(cè)壁。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，該開口于該第一介電層中延伸至一底面，該第一介電層的該側(cè)壁與該底面相交，且該導(dǎo)電柱塞以及該空氣間隙與該底面同延。

8.一種方法，其特征在于，該方法包括：

形成一第一介電層；

形成一開口于該第一介電層中；

形成一間隔件于該第一介電層的該開口內(nèi)；

形成一導(dǎo)電柱塞于該第一介電層的該開口內(nèi)；以及

于形成該導(dǎo)電柱塞后，移除該間隔件以形成一空氣間隙于該第一介電層中的該開口內(nèi)在該導(dǎo)電柱塞與該第一介電層中的該開口之間的一位置處。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，移除該間隔件以形成于該第一介電層中的該開口內(nèi)在該導(dǎo)電柱塞與該第一介電層中的該開口之間的該位置處的該空氣間隙包括：

選擇性蝕刻與該第一介電層相對的該間隔件以移除該間隔件并形成該空氣間隙。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括一介電材料，以及該間隔件的該介電材料選擇性蝕刻該低K介電材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括氮化硅，以及該間隔件采用由磷酸組成的一溶液進(jìn)行選擇性蝕刻。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括二氧化硅，以及該間隔件采用由磷酸組成的一溶液進(jìn)行蝕刻。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括磷硅玻璃，以及該間隔件采用由磷酸組成的一溶液進(jìn)行蝕刻。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括氮化鈦，以及該間隔件采用由后蝕刻殘液移除劑組成的一溶液進(jìn)行蝕刻。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一低K介電材料，該間隔件包括非晶硅，以及該間隔件采用由四甲基氫氧化銨組成的一溶液進(jìn)行蝕刻。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該開口包括一底面以及與該底面連接的側(cè)壁，且形成該間隔件于該第一介電層中的該開口內(nèi)包括：

沉積一共形層以覆蓋該側(cè)壁與該開口的該底面；以及

蝕刻該共形層以從該開口的該底面移除該共形層。

17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該方法還包括：

形成一第二介電層于該第一介電層上，

其中，該第二介電層覆蓋該開口以封閉該空氣間隙。

18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該第一介電層包括一第一介電材料，該間隔件包括一第二介電材料，以及形成該間隔件于該第一介電層中的該開口內(nèi)包括：

通過選擇性地蝕刻該第一介電材料來選擇要移除的該第二介電材料。