[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201710526515.9 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN109216406A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發明(設計)人: | 敖偉;高峰;王明暉;姜海峰;王巖;彭兆基 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜封裝層 凹陷 錨定結構 頂電極 功能層 填充 制備 像素定義層 陰極 抗剪切力 位置偏移 無機膜層 有機膜層 粘附能力 膜層 覆蓋 貫穿 | ||
本發明提供了一種OLED顯示面板及其制備方法。所述OLED顯示面板上設置了多個凹陷,所述凹陷形成于所述像素定義層上方;所述薄膜封裝層包括第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層,所述第一薄膜封裝層為無機膜層,所述第二薄膜封裝層為有機膜層,所述凹陷貫穿所述第一薄膜封裝層、頂電極和功能層,所述第二薄膜封裝層填充所述凹陷并覆蓋所述第一薄膜封裝層,使薄膜封裝層填充凹陷形成錨定結構,采用該錨定結構有效增強了薄膜封裝層和頂電極之間的粘附能力,可提高OLED顯示面板的抗剪切力,減少或避免薄膜封裝層與陰極之間以及功能層內部各膜層之間出現分離或位置偏移。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術
近年來,作為一種新的平板顯示器,有機電致發光顯示器受到越來越多的關注。有機電致發光顯示器的核心部件是有機電致發光器件(OLED,亦稱為有機發光二極管)。OLED發光原理是在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,經過輻射弛豫而發出可見光。
OLED顯示面板的特點是輕薄、寬視角、功耗低、響應速度快、可實現柔性顯示等。由于其是主動發光型器件,在顯示高清晰高速度視頻方面被認為具有很大的優勢,并且最近幾年正朝著實用的方向發展。然而,由于OLED顯示面板中起到發光功能的發光層,對水汽和氧氣等外部環境因素十分敏感,如果將OLED顯示面板暴露在有水汽或者氧氣的環境中,會使得器件性能急劇下降或者完全損壞。為了提高OLED的使用壽命和器件的穩定性,需要通過良好的封裝來隔絕周圍的水汽和氧氣。
傳統的玻璃蓋板或金屬蓋板封裝已經實現較好的效果,但不能完全適用于一些重要或有潛力的應用場合,比如頂發射OLED顯示技術、柔性OLED顯示技術或柔性OPV等。為此業界開發了薄膜封裝技術,采用一層或多層薄膜阻隔水氧,不遮擋光出射或入射的路徑,也不影響襯底的可彎曲性。但發明人研究發現,薄膜封裝層與陰極之間的粘附力較弱,尤其是在柔性顯示面板彎折過程中,薄膜封裝層與陰極之間以及功能層內部各膜層之間甚至出現卷曲、開裂的現象,導致阻隔水氧的能力下降,影響了發 光層的性能,進而影響了OLED顯示面板的壽命與性能。
發明內容
本發明的目的在于,解決OLED顯示面板中薄膜封裝層與陰極之間以及功能層內部各膜層之間出現分離或位置偏移的問題。
為了解決上述問題,一方面,提供一種OLED顯示面板,包括基板以及形成于所述基板上的底電極、像素定義層、功能層、頂電極和薄膜封裝層;所述像素定義層形成有若干像素開口,位于所述像素開口內的底電極、功能層以及頂電極構成像素單元;所述OLED顯示面板上還形成有若干凹陷,所述凹陷形成于所述像素定義層上方;所述薄膜封裝層包括第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層,所述第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層均為無機膜層,所述凹陷貫穿所述第一薄膜封裝層、頂電極和功能層,所述第二薄膜封裝層填充所述凹陷并覆蓋所述第一薄膜封裝層。
可選的,所述OLED顯示面板還包括形成于所述基板上的平坦化層,所述底電極形成于所述平坦化層上;所述凹陷還貫穿部分厚度或全部厚度的像素定義層,或者,所述凹陷還貫穿全部厚度的像素定義層以及部分厚度或全部厚度的平坦化層。
可選的,所述凹陷為垂直孔。
可選的,所述凹陷靠近基板的一端的截面寬度大于其遠離基板的一端的截面寬度。
可選的,所述凹陷靠近基板的一端的截面寬度小于其遠離基板的一端的截面寬度。
可選的,至少部分像素單元周圍的像素定義層處形成有所述凹陷。
可選的,每個像素單元周圍的像素定義層處形成有一個或多個所述凹陷。
可選的,所述第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層的厚度比例在1:1~10:1之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





