[發明專利]OLED顯示面板及其制備方法在審
| 申請號: | 201710526515.9 | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN109216406A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發明(設計)人: | 敖偉;高峰;王明暉;姜海峰;王巖;彭兆基 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜封裝層 凹陷 錨定結構 頂電極 功能層 填充 制備 像素定義層 陰極 抗剪切力 位置偏移 無機膜層 有機膜層 粘附能力 膜層 覆蓋 貫穿 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括基板以及形成于所述基板上的底電極、像素定義層、功能層、頂電極和薄膜封裝層;所述像素定義層形成有若干像素開口,位于所述像素開口內的底電極、功能層以及頂電極構成像素單元;所述OLED顯示面板上還形成有若干凹陷,所述凹陷形成于所述像素定義層上方;所述薄膜封裝層包括第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層,所述第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層均為無機膜層,所述凹陷貫穿所述第一薄膜封裝層、頂電極和功能層,所述第二薄膜封裝層填充所述凹陷并覆蓋所述第一薄膜封裝層。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,還包括形成于所述基板上的平坦化層,所述底電極形成于所述平坦化層上;所述凹陷還貫穿部分厚度或全部厚度的像素定義層,或者,所述凹陷還貫穿全部厚度的像素定義層以及部分厚度或全部厚度的平坦化層。
3.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹陷為垂直孔。
4.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹陷靠近基板的一端的截面寬度大于其遠離基板的一端的截面寬度。
5.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述凹陷靠近基板的一端的截面寬度小于其遠離基板的一端的截面寬度。
6.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,至少部分像素單元周圍的像素定義層處形成有所述凹陷。
7.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,每個像素單元周圍的像素定義層處形成有一個或多個所述凹陷。
8.如權利要求1或2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層的厚度比例在1:1~10:1之間。
9.一種OLED顯示面板制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板;以及
在所述基板上形成底電極、像素定義層、功能層、頂電極和薄膜封裝層,所述像素定義層形成有若干像素開口,且所述OLED顯示面板上還形成有若干凹陷,所述凹陷形成于所述像素定義層上方;所述薄膜封裝層包括第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層,所述第一薄膜封裝層和第二薄膜封裝層均為無機膜層,所述凹陷貫穿所述第一薄膜封裝層、頂電極和功能層,所述第二薄膜封裝層填充所述凹陷并覆蓋所述第一薄膜封裝層。
10.如權利要求9所述的OLED顯示面板制備方法,其特征在于,在所述像素定義層中形成凹陷的步驟包括:
刻蝕所述第一薄膜封裝層、頂電極和功能層,形成暴露所述像素定義層的凹陷;以及
形成所述第二薄膜封裝層,所述第二封裝薄膜層填充所述凹陷并與所述像素定義層接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





