本發(fā)明提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，通過在化學(xué)氣相沉積工藝腔室的四周和底部的內(nèi)壁上分別內(nèi)嵌一個(gè)石英晶震片，將石英晶震片的電極鍍膜層與化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)部連通；頻率檢測(cè)器用以檢測(cè)石英晶震片的頻率，并將頻率檢測(cè)器所測(cè)得的頻率上傳到控制器，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層的厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)。利用本發(fā)明對(duì)清洗終點(diǎn)進(jìn)行監(jiān)測(cè)，所得結(jié)果準(zhǔn)確無誤，保證了化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清潔度和產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法。

背景技術(shù)

在目前的液晶顯示面板的陣列基板制造過程中，成膜機(jī)臺(tái)主要有2中，分別為PVD(Physical Vapor Deposition物理氣相沉積)機(jī)臺(tái)和CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)機(jī)臺(tái)，其中PVD通過物理濺射沉積(也稱為物理氣相沉積)方法沉積Mo、Al、Ti、Cu等金屬膜和ITO(Indium Tin Oxide氧化銦錫)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide銦鎵鋅氧化物)等半導(dǎo)體膜；CVD通過化學(xué)氣相沉積方法沉積SiNx(硅的氮化物)、SiOx(硅的氧化物)、a-si(無定形硅，非晶硅)等非金屬膜；目前CVD機(jī)臺(tái)成膜過程中，陣列基板表面及化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁同時(shí)長膜，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的陣列基板后，化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的薄膜累計(jì)超過一定厚度時(shí)會(huì)發(fā)生脫落，影響成膜品質(zhì)；因此使用過程中通常會(huì)在生產(chǎn)一定數(shù)量的陣列基板后進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的清洗，清除化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積的薄膜。目前該清洗過程沒有實(shí)時(shí)監(jiān)控，通常根據(jù)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行特定時(shí)間的清洗即開始生產(chǎn)，無法準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)，使用過程中常發(fā)生清洗不干凈的問題，甚至當(dāng)清洗過程發(fā)生異常時(shí)也不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)，進(jìn)而會(huì)影響最終的成膜品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中無法準(zhǔn)確判斷清洗終點(diǎn)，使用過程中常發(fā)生清洗不干凈的問題，甚至當(dāng)清洗過程發(fā)生異常時(shí)也不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)，進(jìn)而會(huì)影響最終的成膜品質(zhì)的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室及其清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，具體方案如下：

一種化學(xué)氣相沉積工藝腔室，所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室的四周和底部的內(nèi)壁上分別內(nèi)嵌一個(gè)石英晶震片；

所述石英晶震片包括電極鍍膜層，所述電極鍍膜層與化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)部連通，在所述電極鍍膜層上形成堆積膜層，所述石英晶震片的頻率隨著堆積膜層的厚度的變化而變化；

頻率監(jiān)測(cè)器，所述頻率監(jiān)測(cè)器與石英晶震片連接，利用所述頻率檢測(cè)器檢測(cè)石英晶震片的頻率；

控制器，所述控制器與頻率監(jiān)測(cè)器相連，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率值上傳到控制器，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。

優(yōu)選的，所述控制器將頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率值與預(yù)設(shè)值進(jìn)行比對(duì)，根據(jù)比對(duì)結(jié)果判斷清洗起點(diǎn)時(shí)間；

其中，所述預(yù)設(shè)值包括第一工作頻率和第二工作頻率；

記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且尚未進(jìn)行生產(chǎn)前，頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第一工作頻率，所述第一工作頻率作為清洗終點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中；

記錄所述化學(xué)氣相沉積工藝腔室第一次工作且根據(jù)產(chǎn)品檢測(cè)狀況，當(dāng)生產(chǎn)一定數(shù)量的產(chǎn)品后需要對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁進(jìn)行清洗時(shí)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率，以作為第二工作頻率，所述第二工作頻率作為清洗起始點(diǎn)判斷基準(zhǔn)設(shè)置到控制器中。

優(yōu)選的，所述電極鍍膜層的檢測(cè)面與化學(xué)氣相沉積工藝腔室內(nèi)壁的內(nèi)表面齊平。

一種如上所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔室的清洗終點(diǎn)監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述控制器根據(jù)頻率監(jiān)測(cè)器所測(cè)得的頻率變化實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)化學(xué)氣相沉積工藝腔室的內(nèi)壁堆積膜層厚度的變化以判斷清洗終點(diǎn)時(shí)間。