技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種QLED器件及其制作方法、QLED顯示面板和QLED顯示裝置。

背景技術

量子點(quantum dot，QD)是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒，其尺寸粒徑一般介于1-20nm之間。量子點具有量子限域效應，受激發后可以發射熒光。而且量子點具有獨特的發光特性，例如激發峰寬，發射峰窄，發光光譜可調等性質，使得其在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管（quantum dot light emitting diode，QLED）就是將膠體量子點作為發光層的器件，在不同的導電材料之間引入所述發光層從而得到所需要波長的光。QLED具有色域高、自發光、啟動電壓低、響應速度快等優點，因此目前在世界上是非常熱門的研究方向。

發明內容

然而，發明人注意到，目前QLED的效率普遍不高。影響QLED效率的一個重要因素就是量子點發光層的表面與內部有著較多的缺陷，無法形成規整致密的量子點層薄膜。所形成的缺陷會導致在量子點層內部形成大量的“死胡同”，導致載流子被截留在死路而無法復合發光。已經有一些研究致力于解決量子點層的成膜問題，例如，可以通過對薄膜表面進行配體交換以及交聯使薄膜規整致密（regular and compact）。但是在利用上述方式使薄膜規整致密的同時，會衍生出新的問題：例如，配體交換后量子點層的能級發生改變，影響載流子的注入等。

此外，多數研究集中于使得量子點層的表面規整致密，對于量子點層內部結構的調控、排列的研究則相對較少。量子點層內部結構在載流子的傳輸上起到非常關鍵的作用，因此有必要對這方面進行進一步的改進。

有鑒于此，本發明的實施例提供一種QLED器件的制作方法、使用所述方法制作的QLED器件、QLED顯示面板和QLED顯示裝置，改善了QLED器件中量子點層的表面和內部結構。

根據本發明的一個方面，本發明實施例提供了一種QLED器件的制作方法。所述方法包括：形成第一電極層；在所述第一電極層上形成量子點層；使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部，從而改善所述量子點層的結構；以及在所述量子點層上形成第二電極層。

發明人注意到，對于利用普通工藝形成的量子點層來說，量子點層表面凹凸不平，內部存在大量的缺陷和縫隙。這導致了一部分量子點無法緊密連接在一起，使得載流子被截留在死路而無法復合發光。因此，在本發明實施例中，將與量子點有強相互作用的雙官能團分子溶于混合溶劑中。在滲入量子點層內部后，雙官能團分子能夠形成松散的量子點之間的橋梁，使得量子點之間排列更加緊密。由此，很好地改善了量子點層表面和內部的規整度和致密性，從而提高量子點發光器件的量子效率和光譜特性。

可選地，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟包括：將所述混合溶劑布置在所述量子點層上；以及將溫度升至預定值。

在一些實施例中，可以利用諸如旋涂的布置方式將所述混合溶劑施加到所述量子點層的表面，并且所述混合溶劑在室溫（例如25℃）以下無法溶解量子點層。當溫度升高到某一臨界溫度（即，預定值）時，所述混合溶劑開始對量子點層具有一定的溶解性。

在所述溶解性的幫助下，也增強了混合溶劑在所述量子點層中的擴散。因此在該臨界溫度下，混合溶劑能夠緩慢地擴散到量子點層中，然而卻不會對量子點層造成不期望的破壞。

可選地，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟還包括：旋轉或振動所述量子點層。

在一些實施例中，可以在將溫度升至預定值之后，旋轉或振動所述量子點層。利用旋轉或振動導致的作用力，所述雙官能團分子能夠更加充分地擴散并接觸周圍的松散量子點，進一步增強了所述松散量子點之間的結合。并且，利用諸如旋轉的處理方式，還可以去除多余的混合溶劑，避免對量子點層造成不期望的破壞。

可選地，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟還包括：對所述量子點層執行退火工藝。

在一些實施例中，在改善了所述量子點層的結構之后，可以對所述量子點層執行退火工藝。利用退火工藝，不僅可以除去所述量子點層中殘余的混合溶劑，還可以使被優化了的量子點層的結構固定成型。