1.一種QLED器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成第一電極層；

在所述第一電極層上形成量子點層；

使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部，從而改善所述量子點層的結構；以及

在所述量子點層上形成第二電極層。

2. 如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟包括：

將所述混合溶劑布置在所述量子點層上；以及

將溫度升至預定值。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟還包括：

旋轉或振動所述量子點層。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述使包含雙官能團分子的混合溶劑滲入所述量子點層內部的步驟還包括：

對所述量子點層執行退火工藝。

5.如權利要求1-4之任一項所述的方法，其特征在于，所述量子點層的主體材料為CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、或CsPbI₃/ZnS。

6.如權利要求1-4之任一項所述的方法，其特征在于，所述混合溶劑由所述量子點層的主體材料的良性溶劑和不良溶劑組成。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述混合溶劑的材料選自下列組合之一：正己烷/丙酮、正己烷/正丁醇、正己烷/異丙醇、甲苯/丙酮、甲苯/正丁醇、和甲苯/異丙醇。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述良溶劑和不良溶劑的體積比在10:1~1:10的范圍內。

9.如權利要求1-4、7和8之任一項所述的方法，其特征在于，所述雙官能團分子為乙二醇、1,3-丙二醇、乙二硫醇，或1,3-丙二硫醇。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述雙官能團分子在所述混合溶劑中的質量百分比在1%~10%的范圍內。

11.如權利要求1-4之任一項所述的方法，其特征在于，所述第一電極層包括陽極層、空穴注入層和空穴傳輸層；所述形成第一電極層的步驟包括：依次形成所述陽極層、空穴注入層和空穴傳輸層；所述第二電極層包括陰極層、電子注入層和電子傳輸層；所述形成第二電極層的步驟包括：依次形成所述電子傳輸層、電子注入層和陰極層。

12.一種QLED器件，其特征在于，包括：

順序堆疊的第一電極層、量子點層和第二電極層；其中所述量子點層包括雙官能團分子。

13.如權利要求12所述的QLED器件，其特征在于，所述量子點層的主體材料為CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPbI₃、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、或CsPbI₃/ZnS。

14.如權利要求12所述的QLED器件，其特征在于，所述雙官能團分子為乙二醇、1,3-丙二醇、乙二硫醇，或1,3-丙二硫醇。

15.一種QLED顯示面板，其特征在于，包括基板和以陣列的形式布置在所述基板表面的如權利要求12-14中任一項所述的QLED器件。

16.一種QLED顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求15所述的QLED顯示面板。