[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710180162.1 | 申請日： | 2017-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN107221526A | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 廖文翔;郭豐維 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：
第一半導(dǎo)體元件，包括至少一個導(dǎo)電層及至少一個通孔層；
絕緣層，位于所述第一半導(dǎo)體元件上方，所述絕緣層包括從所述絕緣層的第一側(cè)延伸至所述絕緣層的第二側(cè)的至少一個貫穿絕緣層孔，其中所述貫穿絕緣層孔包括導(dǎo)電芯體，所述導(dǎo)電芯體包含含銅材料；以及
第二半導(dǎo)體元件，包括至少一個導(dǎo)電層及至少一個通孔層，其中所述第二半導(dǎo)體元件位于所述絕緣層上方，且
其中所述至少一個貫穿絕緣層孔將所述第一半導(dǎo)體元件的所述至少一個通孔層耦合至所述第二半導(dǎo)體元件的所述至少一個通孔層。
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