本發明提供一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括一基底，具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中基底具有一晶片區及沿晶片區的邊緣延伸的一切割道區。晶片封裝體還包括一介電層，設置于基底的第一表面上，其中對應于切割道區的介電層內具有一通槽，且通槽沿切割道區的延伸方向延伸。本發明可維持或改善晶片封裝體可靠度及效能，避免基底翹曲，且可進一步縮小晶片封裝體的尺寸。

技術領域

本發明有關于一種晶片封裝技術，特別為有關于一種具有低介電常數(low-k)介電材料保護結構的晶片封裝體及其制造方法。

背景技術

光電元件(例如，影像感測元件)在擷取影像等應用中扮演著重要的角色，其已廣泛地應用于例如數字相機(digital camera)、數字錄影機(digital video recorder)、手機(mobile phone)等電子產品中，而晶片封裝制程是形成電子產品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將感測晶片保護于其中，使其免受外界環境污染外，還提供感測晶片內部電子元件與外界的電性連接通路。

然而，在具有感測晶片的晶片封裝體制造中，影響封裝體可靠度的其中一個原因就是形成于晶片封裝體的低介電常數介電材料(如，金屬化層/內連接層的絕緣部)內的裂縫。舉例來說，當晶圓切割成獨立的晶片封裝體時，晶片封裝體的低介電常數介電材料因切割制程所引發的應力而于其內形成裂縫。如此一來，造成晶片封裝體可靠度及效能下降。

因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括一基底，具有一第一表面及與其相對的一第二表面，其中基底具有一晶片區及沿晶片區的邊緣延伸的一切割道區。晶片封裝體還包括一介電層，設置于基底的第一表面上，其中對應于切割道區的介電層內具有一通槽，且通槽沿切割道區的延伸方向延伸。

本發明還提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一基底，基底具有一第一表面及與其相對的一第二表面，且具有一晶片區及沿晶片區的邊緣延伸的一切割道區；于基底的第一表面上形成一介電層；以及于對應于切割道區的介電層內形成一通槽，其中通槽沿切割道區的延伸方向延伸。

本發明可維持或改善晶片封裝體可靠度及效能，避免基底翹曲，且可進一步縮小晶片封裝體的尺寸。

附圖說明

圖1A至1I是繪示出根據本發明一實施例的晶片封裝體的制造方法剖面示意圖。

圖2是繪示出圖1I中晶片封裝體的一部分的介電層仰視示意圖。

圖3A至3E是繪示出根據本發明另一實施例的晶片封裝體的制造方法剖面示意圖。

圖4是繪示出圖3E中晶片封裝體的一部分的介電層仰視示意圖。

附圖中符號的簡單說明如下：

10、20：晶片封裝體；100：基底；100a：第一表面；100b：第二表面；101、112a：邊緣；103、105、150a：開口；110：介電層；118：底膠材料層；112：密封環；114：導電墊；116：通槽；120：粘著層；130：承載基底；140：絕緣襯層；145：重布線層；150：鈍化護層；155：空孔；160：導電結構；220：間隔層；230：蓋板；C：晶片區；D：距離；SC：切割道區；W：寬度。

具體實施方式