[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710165062.1 | 申請日： | 2017-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN107221540B | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何彥仕;林佳升;李柏漢;孫唯倫 | 申請（專利權(quán)）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 中國臺灣桃園市中*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：
基底，具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面，其中該基底具有晶片區(qū)及沿該晶片區(qū)的邊緣延伸的切割道區(qū)；
介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上，其中對應(yīng)于該切割道區(qū)的該介電層內(nèi)具有通槽，且該通槽沿該切割道區(qū)的延伸方向延伸，且該通槽由該第一表面延伸入該基底內(nèi)；以及
導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底的該第二表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括密封環(huán)，該密封環(huán)設(shè)置于該介電層內(nèi)，其中該密封環(huán)的一邊緣對準(zhǔn)于該切割道區(qū)與該晶片區(qū)之間的分界線，且該密封環(huán)沿該切割道區(qū)的延伸方向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該通槽與該密封環(huán)之間的距離在5微米至10微米的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該通槽具有寬度，該寬度在5微米至15微米的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括底膠材料層，該底膠材料層完全填滿該通槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：
蓋板，設(shè)置于該基底的該第一表面上方；以及
間隔層，設(shè)置于該介電層與該蓋板之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：
導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層內(nèi)且對應(yīng)于該晶片區(qū)；
重布線層，設(shè)置于該基底的該第二表面上，且延伸至該基底的開口內(nèi)而電性連接該導(dǎo)電墊；以及
鈍化護(hù)層，設(shè)置于該基底的該第二表面上方，且填入該基底的該開口內(nèi)，以覆蓋該重布線層，
其中該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)穿過該鈍化護(hù)層而電性連接至該重布線層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該介電層包括低介電常數(shù)材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該通槽延伸入該基底內(nèi)的深度在1微米至2微米的范圍。
10.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，該基底具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面，且具有晶片區(qū)及沿該晶片區(qū)的邊緣延伸的切割道區(qū)；
于該基底的該第一表面上形成介電層；
于對應(yīng)于該切割道區(qū)的該介電層內(nèi)形成通槽，其中該通槽沿該切割道區(qū)的延伸方向延伸，且該通槽由該第一表面延伸入該基底內(nèi)；以及
于該基底的該第二表面上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括于該介電層內(nèi)形成密封環(huán)，其中該密封環(huán)的一邊緣對準(zhǔn)于該切割道區(qū)與該晶片區(qū)之間的分界線，且該密封環(huán)沿該切割道區(qū)的延伸方向延伸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該通槽與該密封環(huán)之間的距離在5微米至10微米的范圍。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該通槽具有寬度，該寬度在5微米至15微米的范圍。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，通過激光開槽形成該通槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括于對應(yīng)于該晶片區(qū)的該介電層內(nèi)形成導(dǎo)電墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括于該通槽內(nèi)完全填滿底膠材料層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
